RoHS檢測儀之XRF的原理詳解及采購建議

    X射線定義:

    l X射線是一種波長較短的電磁輻射,通常是指能量范圍在0.1-100KeV的光子.X射線與物質(zhì)的相互作用主要有熒光.吸收.散射三種。X射線的熒光物質(zhì)中的組成元素產(chǎn)生特征輻射,通過測量和分析樣品產(chǎn)生的X射線熒光,即可獲得樣品中的元素組成,得到物質(zhì)成分的定性和定量信息.

    l X射線光譜儀通??煞譃閮纱箢?波長色散(WDXRF)和能量色散(EDXRF)X射線熒光光譜儀.

    l X射線熒光分析技術(shù)的缺點是檢出限不夠低,不適于分析輕元素,依賴標樣,分析液體樣品手續(xù)比較麻煩.由于電感耦合等離子質(zhì)譜儀(ICP-MS)具有較佳的痕量.**痕量分析能力.因此目前國內(nèi)外分析實驗室一種流行的趨勢是同時配備X射線熒光光譜儀和電感耦合等離子質(zhì)譜儀(ICP-MS).利用XRF分析含量較高的元素,而用ICP-MS分析低濃度的元素.

    X熒光的基礎(chǔ)知識

    由于K層電子與L/M層電子能量不同,補位電子會釋放出多余能量,該能量的表現(xiàn)形式為X熒光(躍遷)。此熒光可被探測器接受測量并可反映出元素的具體信息。經(jīng)過分析后較終獲得元素種類及組成比例的信息。

    當X光束照射到測試樣品上,受照射區(qū)域物質(zhì)的組成元素的內(nèi)層電子,會應(yīng)受到X光轟擊溢出,為保持其內(nèi)部平衡,該原子L層或M層的外層電子會補充這個電子空位。

    特征X射線的產(chǎn)生機理

    l 同樣當K空位被M層電子填充時,則產(chǎn)生Kβ輻射。M能級與K能級之差大于L能級與K能級之差,即一個Kβ光子的能量大于一個Kα光子的能量; 但因L→K層躍遷的幾率比M→K遷附幾率大,故Kα輻射強度比Kβ輻射強度大五倍左右。

    l 顯然, 當L層電子填充K層后,原子由K激發(fā)狀態(tài)變成L激發(fā)狀態(tài),此時較外層如M、N……層的電子將填充L層空位,產(chǎn)生L系輻射。因此,當原子受到K激發(fā)時,除產(chǎn)生K系輻射外,還將伴生L、M……等系的輻射。除K系輻射因波長短而不被窗口完全吸收外,其余各系均因波長長而被吸收。

    l Kα雙線的產(chǎn)生與原子能級的精細結(jié)構(gòu)相關(guān)。L層的8個電子的能量并不相同,而分別位于三個亞層上。Kα雙線系電子分別由LⅢ和LⅡ兩個亞層躍遷到K層時產(chǎn)生的輻射,而由LI亞層到K層因不符合選擇定則(此時Δl=0),因此沒有輻射。

    X射線熒光

    光譜學上的“熒光”:泛指物質(zhì)受到外來的原級輻射照射時,物質(zhì)發(fā)出的次級輻射,波長(能量)在X射線范圍的熒光叫X射線熒光。不僅X射線可以產(chǎn)生熒光,可見光、紫外線也可以產(chǎn)生熒光。

    l 我們是根據(jù)已知濃度的樣品.XXPb=100ppm在我們的儀器里測試得出一個強度XXPb=1.5cps,X軸是濃度,Y軸是強度,100ppm和1.5cps交匯出了一個標樣點.然后在拿另外一個已知濃度的樣品在得出一個標樣點,然后兩個點擬合成一條直線.然后這條曲線我們就完成了.當然我們用的不只是兩個標樣.

    軟件計算方法

    l 探測器得出特征譜線計數(shù)率- 軟件通過計數(shù)率得出強度 - 特征譜強度對應(yīng)工作區(qū)得出濃度.

    l 探測器通過下面公式得出特征譜線計數(shù)率n (公式中s是計數(shù)率的統(tǒng)計漲落,n是特征譜線計數(shù)率,B是散射背景計數(shù)率,T是采樣時間,h是峰背比n/B)。

    l 得出了特征譜的計數(shù)率n.我們的軟件通過n于歸一特征線的比得出了特征譜的強度Ii然后工作區(qū)得出了濃度Cippm.

    l 高壓電源 美國 Spellman

    l X光管 國產(chǎn) 頤維科

    l 探測器 美國 Amptek X-123

    l 軟件分析方法 經(jīng)驗系數(shù)法/FP法

    高壓電源的技術(shù)參數(shù)與說明

    關(guān)鍵技術(shù)參數(shù):穩(wěn)定性,包括:

    l 輸入電壓input voltage: DC +24v DC +- 10%,

    l 輸入電流:4.0A(較大maximum)

    l 輸出電壓Output voltage: 0 -50Kv @ 1mA

    l 電壓穩(wěn)定性:

    l 最大功率Maximum Power: 50W

    高壓電源的作用

    高壓電源為X光管提供供電,是保證儀器測試數(shù)據(jù)精密度與準確度的基礎(chǔ)。我司儀器選用高性能進口高壓電源來確保供電條件的較優(yōu)化。

    X射線管

    (1) 陰極——**電子。一般由鎢絲制成,通電加熱后釋放出熱輻射電子。

    (2) 陽極——靶,使電子突然減速并發(fā)出X射線。

    (3) 窗口——X射線出射通道。既能讓X射線出射,又能使管密封。窗口材料用金屬鈹或硼酸鈹鋰構(gòu)成的林德曼玻璃。窗口與靶面常成3-6°的斜角,以減少靶面對出射X射線的阻礙。

    (4) 高速電子轉(zhuǎn)換成X射線的效率只有1%,其余99%都作為熱而散發(fā)了。所以靶材料要導(dǎo)熱性能好,常用黃銅或紫銅制作,還需要循環(huán)水冷卻。因此X射線管的功率有限,大功率需要用旋轉(zhuǎn)陽極

    (5) 焦點——陽極靶表面被電子轟擊的一塊面積,X射線就是從這塊面積上**出來的。焦點的尺寸和形狀是X射線管的重要特性之一。焦點的形狀取決于燈絲的形狀,螺形燈絲產(chǎn)生長方形焦點

    X射線衍射工作中希望細焦點和高強度;細焦點可提高分辨率;高強度則可縮短暴光時間

    X光管產(chǎn)生X射線的過程

    向陽極靶,陽極受到高X射線發(fā)生器給X射線管的鎢燈絲提供加熱電流又在陽極與燈絲之間提供高壓電場,X射線管的鎢燈絲受熱產(chǎn)生了電子云。電子云在高壓電場的作用下,沿聚焦管加速飛速電子的轟擊,陽極靶材吸收了足夠的能量。原子的內(nèi)層電子便按一定的規(guī)律實現(xiàn)能級間的躍遷,在去激過程中。將所吸收的能量以X射線的形式向窗外**。

    X光管在使用過程中的損壞因素主要為

    l 燈絲燒斷

    l 靶材擊穿

    l 管體內(nèi)真空遭破壞

    l 燈絲加熱過程中逸出金屬霧,附著鈹窗,造成鈹窗*大幅度降低

    l 中國七五,九五科技攻關(guān)已經(jīng)掌握了X熒光的多元素分析技術(shù),X光管生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)成熟,我司技術(shù)發(fā)源與七五,九五科技攻關(guān),目前積極參于光管制造廠家的生產(chǎn)制造過程,設(shè)計并定制了專有型號,對上述因素進行了設(shè)計改良,充分確保X光管的高壽命。

    l 較佳分辨率:149±5eV.

    l 較高計數(shù)率:2 X 10 5 CPS

    l 峰背比≥ 5000/1 (天/信噪比增強器)

    l 能響曲線 1KeV ~40KeV

    注:探測器分辨率值越低表示探測器越靈敏

    SDD

    硅漂移探測器(SDD, Silicon Drift Detector)早期叫Silicon Drift Chamber(SDC),是由氣體探測器中的漂移室類比得出的名字,所以也叫硅漂移室或者硅漂移室探測器。硅漂移探測器的原理與已往的半導(dǎo)體探測器全然不同,是由意大利的Emilio Gatti和美國的Pavel Rehak提出的。硅漂移探測器(SDD)是在高純n型硅片的射線入射面制備一大面積均勻的pn突變結(jié),在另外一面的*制備一個點狀的n型陽極,在陽極的周圍是許多同心的p型漂移電極。在工作時,器件兩面的pn結(jié)加上反向電壓,從而在器件體內(nèi)產(chǎn)生一個勢阱(對電子)。在漂移電極上加一個電位差會在器件內(nèi)產(chǎn)生一橫向電場,它將使勢阱彎曲從而迫使入射輻射產(chǎn)生的信號電子在電場作用下先向陽極漂移,到達陽極(讀出電極)附近才產(chǎn)生信號。硅漂移探測器的陽極很小因而電容很小,同時它的漏電流也很小,所以用電荷靈敏前置放大器可低噪聲、快速地讀出電子信號。(請參看“專業(yè)詞典”頁面的硅漂移探測器原理功能動畫圖)

    PIN探測器和硅PIN、Si-PIN探測器

    什么是PIN :PIN是半導(dǎo)體器件的許多種結(jié)構(gòu)之一,是由一層P型半導(dǎo)體(受主雜質(zhì)為主導(dǎo),帶正電荷[Positive]的空穴是多數(shù)載流子)和一層N型半導(dǎo)體(受主雜質(zhì)為主導(dǎo),帶負電荷[Negative]的電子是多數(shù)載流子)以及它們中間的一層I(Intrinsic[本征半導(dǎo)體即沒有雜質(zhì)或者施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)正好完全補償?shù)陌雽?dǎo)體]或者Insulator[絕緣體])層組成的結(jié)構(gòu)。

    PIN探測器和硅PIN、Si-PIN探測器

    PIN探測器是具有PIN結(jié)構(gòu)的(其中間層實際上是高阻的全耗盡層,其載流子很少,與本征層和絕緣體層有類似之處)用于探測光和射線的探測器件。硅PIN探測器室溫下的漏電流在納安(nA)數(shù)量級,比其上一代的硅面壘探測器要小差不多3個數(shù)量級,是硅面壘探測器的換代產(chǎn)品,但是PIN探測器的電容仍然和面壘探測器一樣,隨探測器面積的增大而正比增大,這導(dǎo)致探測器噪聲還是偏大,同時成形時間常數(shù)不能太小因而計數(shù)率不能高。這就是PIN探測器不僅在技術(shù)上而且在性能上也要比硅漂移探測器差整整一代的原因。

    絕大多數(shù)PIN探測器是用硅做的,所以如果不特別指出,PIN探測器指的就是Si-PIN或者硅PIN探測器?,F(xiàn)代硅PIN探測器是由德國KETEK公司的創(chuàng)建者Kemmer博士在20世紀70年代末首先采用改進的平面工藝技術(shù)研制成功的,現(xiàn)在全世界都采用他的這一方法來制備高性能的半導(dǎo)體探測器。

    硅PIN探測器實際上就是硅PN(結(jié))探測器,這里只是強調(diào)其耗盡層很厚,以便與耗盡層很薄的一般電子器件的PN結(jié)區(qū)別開。

    (附注:硅PIN探測器中的PIN與“針”字沒有任何關(guān)系,不贊成把Si-PIN翻譯成“硅針”或“Si針”。)

    硅(鋰)[ Si(Li)]探測器

    硅(鋰)[ Si(Li)]探測器,也叫硅鋰漂移探測器。是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴散形成PN結(jié),然后在反向電壓和適當溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中,由于鋰離子很*吸引一個自由電子而成為施主,從而與硅中的P型(受主)雜質(zhì)實現(xiàn)補償而形成高阻的本征層(探測器的靈敏區(qū))。硅(鋰)探測器的特點是靈敏層厚度可以做得相當大(3-10毫米),因而探測器電容也能夠小一些,探測效率高,但是必須在液氮冷卻下才能工作和長期保存(因為在室溫下鋰離子的擴散已經(jīng)不能忽略不計,鋰離子擴散的結(jié)果必然導(dǎo)致在制備硅(鋰)探測器時達到的精密補償被破壞,而在液氮溫度下鋰離子的擴散是可以忽略不計的。),一般說來其能量分辨、高計數(shù)率性能、使用方便性、體積和價格等性能都不如硅漂移探測器。請注意:硅鋰漂移探測器和硅漂移探測器是兩種不同的探測器,硅鋰漂移探測器是因為在制造過程中采用了鋰離子漂移補償?shù)姆椒ǘ妹?,而硅漂移探測器則是射線產(chǎn)生的載流子(電子-空穴對)中的電子先必須漂移到陽極區(qū)以后才能形成可以測量的電信號(硅漂移探測器中空穴對電信號沒有貢獻)而得名。硅漂移探測器的原理和制備過程與硅(鋰)探測器截然不同,硅漂移探測器靈敏區(qū)的所有表面都有高質(zhì)量的二氧化硅保護層,同時硅漂移探測器中也沒有鋰離子,較沒有鋰離子擴散的問題,因而硅漂移探測器在室溫下沒有變壞的問題。

    脈沖處理系統(tǒng)技術(shù)指標與說明

    l 前置放大器

    l 主放大器

    l 數(shù)字化多道脈沖處理器(MCA)

    任何的電子電路都會造成電子漂移,產(chǎn)生儀器誤差,以上系統(tǒng)可以有效的補償漂移效應(yīng),確保儀器精確度。

    成型時間 放大倍數(shù)軟件根據(jù)實際應(yīng)用情況自動調(diào)整。達到較佳效果

    其他重要參數(shù)

    l 輻射防護系統(tǒng)

    鴻永精儀的輻射防護系統(tǒng)現(xiàn)有兩種結(jié)構(gòu)

    整機全鉛版防護迷宮+自動保護裝置

    射線區(qū)域全封閉結(jié)構(gòu)+自動保護裝置

    l 濾光片系統(tǒng)

    多組濾光片自動選擇系統(tǒng)

    針對不同材質(zhì)的測試對象,其激發(fā)的X熒光中帶有特定的干擾雜波,必須采用特定的濾光片進行初步處理,以提高光效質(zhì)量,確保良好的測試效果。華唯公司選用的七組濾光片系統(tǒng)是經(jīng)過數(shù)萬次實驗的較終科技成果,具有良好的濾光及控制效果。

    l 整機電路系統(tǒng)

    優(yōu)良的整機電路系統(tǒng)是精密儀器穩(wěn)定性與精確度的基礎(chǔ)保證。

    XRF內(nèi)部電路設(shè)計嚴謹,各類屏蔽與干擾控制機件得當,安裝與調(diào)試完全符合**標準。有效的保證了數(shù)據(jù)的準確性與穩(wěn)定性

    數(shù)據(jù)分析軟件

    l 在XRF技術(shù)中,數(shù)據(jù)分析與處理技術(shù)較為深奧,檢測樣品中基材對于測試元素的干擾、相鄰元素間的干擾、本底對于測試的干擾等雖經(jīng)過光路控制可以得到一定程度抑制,但較終仍需通過數(shù)據(jù)分析軟件,進行剔除、篩選、分析并較終得出結(jié)論。數(shù)據(jù)分析軟件對于XRF的優(yōu)異具有決定性影響。

    l 現(xiàn)階段國內(nèi)外XRF儀器的數(shù)據(jù)分析軟件主要分為以下幾種理論分析模型基礎(chǔ):經(jīng)驗系數(shù)法/理論@系數(shù)法/基本參數(shù)(FP)法等。相互間互有側(cè)重,自成一體。

    l 我司產(chǎn)品集合二十多年分析模型研究基礎(chǔ),結(jié)合長期的實驗結(jié)果,成功的將三類理論模型進行結(jié)合,應(yīng)用與我司系列產(chǎn)品的數(shù)據(jù)分析軟件中??紤]各類變量較多,剔除各類影響因素較多。充分適合與多材料的工廠生產(chǎn)實際需求。

    開放性工作曲線

    l 各企業(yè)實際使用的物料千差萬別,任何測試儀器廠家均無能力窮盡所有物料,并在儀器上預(yù)制相關(guān)的工作曲線。各廠家只會在機器中預(yù)制常用的物料類型的工作曲線。

    l 不具備與物料匹配的工作曲線時大多數(shù)儀器廠家會要求企業(yè)選擇相近物料的工作曲線進行測試,這種做法往往會導(dǎo)致測試結(jié)果偏差較大、部分濃度區(qū)間的物料測試結(jié)果偏差較大或根本無法測試。

    l **電工**推薦XRF儀器需設(shè)立開放性工作曲線,使用戶根據(jù)自己的風險物料特點建立自己符合的物料范圍的工作曲線庫,從而確保較加良好的測試效果。然而由于各種原因現(xiàn)階段在機器中設(shè)立開放性工作曲線的廠商**。

    l 在儀器中設(shè)置開放性工作曲線代表著儀器廠家對于產(chǎn)品穩(wěn)定性與線性的充分信心。亦表明其技術(shù)的良好性。

    l 現(xiàn)階段我司全線產(chǎn)品中均預(yù)制開放性工作曲線功能,滿足用戶進一步物料檢測需求。

    XRF好壞的評估方法

    l 儀器安全性

    XRF為X射線產(chǎn)品,X射線具備累計性及身體不可感知性,故其對于人員的危害性較加隱蔽、較加危險。優(yōu)良的XRF必須首先確保零輻射的基本條件實現(xiàn)。

    用戶可以詳細了解儀器廠家的防護原理、防護措施、索要相關(guān)檢驗證書。有條件的還可使用X射線探測器進行實際檢驗。

    l 儀器穩(wěn)定性測試

    XRF屬于對比型分析儀器,其數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性及同一樣品的再現(xiàn)性對于后期鑒定及測試較為重要。

    將各種有害元素居中的樣品用儀器進行測量,連續(xù)測量21次(即95﹪的置信度),這21次的結(jié)果波動誤差范圍基本上反映了正常使用時,儀器測量的誤差范圍;此誤差范圍應(yīng)該小于我們要求的測量誤差。

    l 儀器分辨能力測試

    對不同含量的樣品測試數(shù)據(jù)是否保持相關(guān)線形,是決定未來測試不同含量樣品是否可以產(chǎn)生相關(guān)的數(shù)據(jù)變化,從而引起檢測人員關(guān)注的重要屬性。

    使用的儀器工作曲線,逐個對準備好的樣品進行測量,測試結(jié)果的規(guī)律應(yīng)該與已知的含量結(jié)果的規(guī)律有較好的一致性(即較好的線性關(guān)系);則說明儀器具有較好的分辨能力。

    l 是否擁有開放式工作曲線

    應(yīng)特別注意XRF儀器的分析軟件是否具有開放的制作工作曲線的功能,此性能可以保證用戶后期使用的延展性,并可以充分驗證XRF生產(chǎn)商是否具有足夠的技術(shù)支持能力

    l 對儀器具體技術(shù)參數(shù)進行比較時,還應(yīng)注意基體材料的影響因素

    XRF應(yīng)用領(lǐng)域

    陶瓷

    l 陶瓷元素分析

    l 玻璃元素分析

    l 水泥元素分析

    環(huán)境

    l 土壤元素分析

    l 廢水元素分析

    l 燃燒灰分元素分析

    食品

    l 各種食物中異物分析

    l 飼料中元素分析

    l 食品容器中不純物分析

    化學

    l 橡膠中不純物分析-RoHS

    l 塑料中金屬成分分析-RoHS

    l 涂料元素分析

    l 石油重油中不純物分析

    l 電鍍液中主成分及不純物分析

    l 金屬、非金屬

    原料分析

    l 合金、非金屬主成分及不純物分析

    l 礦石元素分析

    l 固體主成分及不純物分析

    l 貴重金屬主成分及不純物分析

    l 礦渣精煉分析

    電子、電器產(chǎn)品

    l 電子零件有害物質(zhì)分析-RoHS

    l 多層鍍層鍍膜厚度及主成測定

    l 各種電子零件鍍膜厚度及主成測定

    其它

    l 纖維中元素分析

    l 考古學古物元素分析

    l 寶石元素分析與鑒定

    l 各種樣品元素快速鑒定

    l 血液中重金屬快速分析


    江蘇天瑞儀器股份有限公司專注于ROHS檢測儀,江蘇天瑞儀器股份有限公司,手持式光譜儀,天瑞儀器,天瑞儀器股份有限公司,鍍層測厚儀等

  • 詞條

    詞條說明

  • rohs2.0檢測儀器-原子熒光運用需求留意的幾點

    rohs2.0檢測儀器-原子熒光運用需求留意的幾點:1. 替換元素燈時必定要封閉主機電源。2. 必定要按次序開機:翻開電腦進到WINDOWS桌面后,翻開儀器主機電源,然后進軟件。3. 儀器運轉(zhuǎn)過程中蘭交不要進行其他電腦操作,特別占內(nèi)存比較大的程序。4. 儀器預(yù)熱可運用TEST測驗辦法,泵塊能夠不必壓,能夠不必進溶液,讓儀器空運轉(zhuǎn)。5. 丈量過程中留意調(diào)查排廢泵塊是否壓好,廢液是否順利排出。6. 泵

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  • ROHS應(yīng)對方案

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  • 【ROHS檢測儀】ROHS檢測儀使用注意事項

    ROHS檢測儀使用注意事項:1、儀器會產(chǎn)生電離輻射,在測試時確保不要將儀器對著人;不要將儀器對著空氣做測試;不要用手 拿著樣品做測試2、ROHS測試儀在運作狀態(tài),勿打開儀器的防護蓋或勿將測試儀器對準人體3、每次開啟儀器和每連續(xù)工作4小時,必須對儀器進行校驗4、嚴禁非專門*的人員操作該儀器,操作時必須按照操作步驟進行,任何錯誤的操作,均會導(dǎo)致儀 器的測試結(jié)果及使用壽命5、測試完畢后點擊‘設(shè)置X光管

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