IRFP460APBF型號 IRFP460APBF品牌 IRFP460APBF封裝 IRFP460APBF批號 IRFP460APBF備注 IRFP460APBF VISHAY TO-247 2016+ 全新原裝現貨 IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET IRFP460APBF Vishay N溝道 MOSFET 晶體管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3針 TO-247AC封裝 IRFP460APBF規(guī)格書 IRFP460APBF圖片 IRFP460APBF特性 ?低閘較電荷路上導致簡單的驅動要求 ?改善門,雪崩和動態(tài)dV / dt強度 ?完全具有電容和雪崩電壓和電流 ?有效輸出電容* ?符合RoHS指令2002/95 / EC IRFP460APBF應用 ?開關模式電源(SMPS) ?不間斷電源 ?高速功率切換 典型SMPS拓撲 =全橋 ? PFC升壓 IRFP460APBF一般信息 數據列表 IRFP460A; 標準包裝 500 包裝 管件 類別 分立半導體產品 產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單 系列 - 其它名稱 *IRFP460A 規(guī)格 FET 類型 N 溝道 技術 MOSFET(金屬氧化物) 漏源較電壓(Vdss) 500V 電流 - 連續(xù)漏較(Id)(25°C 時) 20A(Tc) 不同 Id 時的 Vgs(th)(較大值) 4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵較電荷 (Qg)(較大值) 105nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(較大值) 3100pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(較大值) 280W(Tc) 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(較大值) 270 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型 通孔 供應商器件封裝 TO-247-3 封裝/外殼 TO-247-3
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詞條說明
IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET
IRFP460APBF型號 IRFP460APBF品牌 IRFP460APBF封裝 IRFP460APBF批號 IRFP460APBF備注 IRFP460APBF VISHAY TO-247 2016+ 全新原裝現貨 IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET IRFP460APBF Vishay N溝道 MOSFET 晶體管 IRFP460APBF,
STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管
STW3N150 型號 STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號 STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150
FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強型功率MOSFET
FQB5N90概述 該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術生產。 這種**的 MOSFET 技術已專門定制用來降低導通電阻, 并提供**的開關性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關電源、有源功率因數校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(較大值)@VGS = 10 V, I
HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管
HGTG5N120BND產品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通(NPT)IGBT 設計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等,而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用,如:UPS、光伏逆變器、電機控制以及電源。 HGTG5N120BND產品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 5 A 典型下降時間。. . . .
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