施耐德MT框架斷路器MVS框架斷路器的控制單元（A）

時(shí)間：2021-08-04作者：樂清市宜達(dá)電器廠瀏覽：64

Micrologic A 控制單元保護(hù)電源電路。它同
時(shí)提供測量、顯示、通信和電流的上值。
保護(hù)類型 6 提供接地故障保護(hù)，保護(hù)類型 7 
提供了漏電保護(hù)。

1 長延時(shí)，電流設(shè)定值和脫扣延時(shí)
2 過載信號(hào) (LED)
3 短延時(shí)，電流設(shè)定值和脫扣延時(shí)
4 瞬時(shí)值
5 接地故障和脫扣延時(shí)
6 接地故障測試按鈕
7 長延遲校準(zhǔn)固定螺釘
8 測試孔
9 測試燈，復(fù)位和電池測試
10 脫扣原因顯示
11 數(shù)字顯示
12 安培計(jì)和三相柱狀圖表
13 導(dǎo)航鍵
Micrologic A 控制單元保護(hù)電源電路。它同
時(shí)提供測量、顯示、通信和電流的上值。
保護(hù)類型 6 提供接地故障保護(hù)，保護(hù)類型 7 
提供了漏電保護(hù)。
E46028
注: 
Micrologic A 控制單元備有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)鉛封


保護(hù)設(shè)定 ...................................................................................
用調(diào)節(jié)按鈕，設(shè)定保護(hù)閾值和延時(shí)。在屏幕上顯示電流和時(shí)間值。調(diào)節(jié)的精確度可
以提高，通過使用不同的長延時(shí)整定模塊來限制調(diào)節(jié)范圍。
過載LRMS長延時(shí)保護(hù)
熱儲(chǔ)存器 : 在脫扣之前和之后的熱積累。
通過使用不同的長延時(shí)整定模塊來改變調(diào)節(jié)范圍，使調(diào)節(jié)的精確度可以提高。
使用 OFF 長延時(shí)整定模塊能夠取消過載保護(hù)。
短路保護(hù)
短延時(shí) (rms) 和瞬時(shí)的保護(hù)
在短延時(shí)上，可選擇 I2
t (ON 或 OFF)
接地故障保護(hù)
I
2
t (ON 或 OFF) 可選
剩余型漏電保護(hù) (Vigi)
無外部供電時(shí)可工作
q 對非故障脫扣進(jìn)行保護(hù)可防止誤動(dòng)作
kA 類 DC - 分量，直至 10A
中性線保護(hù)
在 3 較斷路器上，無中性線保護(hù)
在 4 較斷路器上，可通過 3 位置開關(guān)設(shè)定中性線保護(hù) : 中性線無保護(hù) (4P 3t)，中性
線保護(hù) 0.5Ir (4P, 3t + N/2)，中性線保護(hù) Ir (4P 4t)。
區(qū)域選擇性聯(lián)鎖 (ZSI)
ZSI 與多個(gè)控制單元相連，提供接地故障保護(hù)和短延時(shí)保護(hù)的完全選擇性，脫扣前不
需要延時(shí)。
電流表 ....................................................................................... menu
Micrologic 控制單元 A 測定電流真實(shí)有效值 (RMS)，0.2 到 20In 精度為 1.5%( 含互
感器 )。
數(shù)字屏 LCD 連續(xù)顯示上負(fù)載相電流 (lmax)，或通過按導(dǎo)航鍵，還可顯示 I1，I2，
I3， IN，Ig，I?n 儲(chǔ)存電流 ( 上值 ) 和進(jìn)行設(shè)定。
外部電源選件可以顯示 < 20%In 的電流。
若電流** 0.05In，測量值無意義。在 0.05 至 0.2In 時(shí)，精度為 0.5%In+1.5% 讀數(shù)。
通信選項(xiàng)
同通信選項(xiàng) COM 相關(guān)的控制單元，能夠傳輸下列參數(shù)：
● 設(shè)定值
● 電流值
● 脫扣原因
● 上值復(fù)位


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• 詞條

  詞條說明

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