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正接時(shí)候,R1提供VGS電壓,MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ實(shí)際損耗很小,2A的電流,功耗為(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散熱片。解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。VZ1為穩(wěn)壓管防止柵源電壓過高擊穿mos管。NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小,選NMOS。NMOS管接在電源的負(fù)極,柵較高電平導(dǎo)通。
詞條
詞條說明
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公司名: 深圳市龍崗區(qū)鑫萬疆再生資源商行
聯(lián)系人: 王生
電 話:
手 機(jī): 19146466062
微 信: 19146466062
地 址: 廣東深圳福田區(qū)全國(guó)地區(qū)回收庫(kù)存電子元器件IC芯片
郵 編:
網(wǎng) 址: xwj1688.b2b168.com
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