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先測(cè)試出可控硅的峰值電壓,將電線正負(fù)極連接至K兩較,接地線接至室內(nèi)主接地上,逐漸升壓,測(cè)試其漏電流數(shù)值。進(jìn)行漏電測(cè)試后,逐漸升壓,觀測(cè)漏電流,當(dāng)數(shù)值**過其額定峰值電壓后,可控硅被擊穿,但采用此方法可能會(huì)破壞其PN結(jié),并且只能測(cè)試其是否導(dǎo)通,而不能測(cè)試其導(dǎo)通是否良好,故不再采用此法進(jìn)行測(cè)試。搖表測(cè)試法用搖表對(duì)可控硅進(jìn)行測(cè)量,參照之前使用的漏電檢測(cè)法。為防止搖表法測(cè)試過程中擊穿或損壞可控硅,改變搖表操作方法,即要對(duì)搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制,兩筆端鏈接K較對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。
詞條
詞條說明
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公司名: 深圳市龍崗區(qū)鑫萬疆再生資源商行
聯(lián)系人: 王生
電 話:
手 機(jī): 19146466062
微 信: 19146466062
地 址: 廣東深圳福田區(qū)全國(guó)地區(qū)回收庫(kù)存電子元器件IC芯片
郵 編:
網(wǎng) 址: xwj1688.b2b168.com
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