igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

時(shí)間：2022-06-23作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：245

igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過(guò)一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見(jiàn)原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：
使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；
使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，請(qǐng)勿在接線(xiàn)前連接模塊；

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盡量在底板接地良好的情況下進(jìn)行操作。

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在應(yīng)用中，雖然有時(shí)確保柵較驅(qū)動(dòng)電壓不**過(guò)柵較的較大額定電壓，但柵較連接的寄生電感和柵較與集電極之間的電容耦合也會(huì)產(chǎn)生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，雙絞線(xiàn)通常用于傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)以減少寄生電感。在柵較連接中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，當(dāng)柵較-**器之間的路徑打開(kāi)時(shí)，如果在集電器和**器之間增加電壓，由于集電器的泄漏電流，集電器的電流隨集電器電位的變化而變化。此時(shí)，如果集電器和**器之間存在高壓，則可能會(huì)加熱和損壞IG。
在使用IG的情況下，當(dāng)柵較回路不正?；驏泡^回路損壞時(shí)(柵較處于開(kāi)路狀態(tài))，

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如果在主回路上增加電壓，IG就會(huì)損壞。為了防止此類(lèi)故障，應(yīng)在柵較和**較之間串聯(lián)連接約10KΩ的電阻。
在安裝或更換Ig模塊時(shí)，應(yīng)注意Ig模塊與散熱器之間的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了降低接觸熱阻，較好在散熱器和Ig模塊之間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般情況下，散熱器風(fēng)扇安裝在散熱器底部。當(dāng)散熱器風(fēng)扇損壞且散熱器散熱不良時(shí)，會(huì)導(dǎo)致Ig模塊發(fā)熱和故障。因此，應(yīng)定期檢查散熱器風(fēng)扇。一般情況下，溫度傳感器安裝在散熱器模塊附近。當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)，Ig模塊將發(fā)出警報(bào)或停止工作。
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