可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:
1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應同時進行。
2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
3、可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規(guī)定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度
相信大家了解了可控硅模塊的升溫測試方法之后,在以后的使用中就可以測試溫度,如果溫度過高就及時采取降溫措施,這樣能夠提高工作效率,又使機器受到了保護。
詞條
詞條說明
熔斷絲便是熔斷器的通稱,這也是大家日常生活之中一種非常簡單的防護家用電器。在配電變壓器高、低電壓側都配有熔斷器做為過流保護,這也是為了避免短路容量對變電器的危害。此外,各種各樣能源和照明燈具設備也經(jīng)常選用熔斷器作短路故障問題或持續(xù)過負載的保護設備。 熔斷器關鍵由熔體、機殼和橡膠支座3一部分構成,在其中熔體是操縱熔斷特性的重要元器件。熔體的原材料、規(guī)格和樣子決策了熔斷特性。熔體原材料分成低溶點和高
二極管算是半導體家族中的元老了,從1930年開始,半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為:快恢復二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個安培以內,電壓較高1000多V,但是反向恢復素很快,只有幾個ns至幾十個ns,用在小功率開關電源做輸出整流,或需要頻繁開關的場
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
整流橋模塊廠家?guī)懔私庹鳂蚰K整流橋一般帶有足夠大的電感性負載, 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。1.什么是整流橋模塊整流橋的作用將交流電轉換為直流電。整流橋是通過二極管的單向導通原理來完成整流作的,所以將其接入交流電路時它能使電路中的電流只按單向流動,即所謂“整流”。整流器通常由4只二極管組成單相橋式全波整流器和6只二極管組
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