STP4407可替代APM4315K、AO4407、AO4335、Si4435DDY、
產(chǎn)品說明
STP4407是P通道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管
采用高密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。
這種高密度工藝特別適合于小化導(dǎo)通電阻。
這些設(shè)備特別適合低電壓應(yīng)用,如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電高壓側(cè)開關(guān)電路。
產(chǎn)品參數(shù):
-30V/-10A,RDS(開)=15mΩ
@VGS=-10V
-30V/-6.0A,RDS(開)=24mΩ
@VGS=-4.5V
**高密度電池設(shè)計
較低RDS(ON)
異常導(dǎo)通電阻和大直流電
SOP-8包裝設(shè)計
詞條
詞條說明
二極管,(英文:Diode),電子元器件之中,一種具備2個金屬電極的設(shè)備,只容許電流由單一方位穿過,很多的運用是應(yīng)用其整流器的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用于作為電子式的可調(diào)式電力電容器。絕大多數(shù)二極管所擁有的電流專一性大家通常稱作“整流器(Rectifying)”功能。二極管較廣泛的功能便是只容許電流由單一方位根據(jù)(稱為正向偏壓),反方向時阻隔(稱為反向偏壓)。因而,二極管可
司坦森場效應(yīng)管原廠STN442D?TO-252?參數(shù)**0V?37A?24mΩ用于按摩器STN442D可替代型號STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、描述場效應(yīng)管STN442D使用溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V?/?20.0a,RDS(上)=&
二極管是用半導(dǎo)體器件(硅、硒、鍺等)做成的一種電子元器件 。它具備單邊導(dǎo)電率能, 即給二極管陽極氧化和負極再加上正方向工作電壓時,二極管關(guān)斷。 當給陽極氧化和負極再加上反向工作電壓時,二極管截至。 因而,二極管的導(dǎo)通與截至,則等同于電源開關(guān)的接入與斷掉。二極管是較開始問世的半導(dǎo)體元器件之一,其運用十分普遍。城市廣場各種各樣電子器件電路中,運用二極管和電阻器、電容器、電感器等電子器件開展科學合理的聯(lián)
ST25N10 TO-252 N100V 12A 閩臺STANSON/司坦森
描述st25n10是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。有了st16n10特別設(shè)計,以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷,低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征100V/12.0A,RDS(ON)= 40mΩ@ VGS = 10V100V/10.0A,RDS(ON)= 45mΩ@ VGS = 4.5V**高密度
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 羅小姐
電 話:
手 機: 17603024289
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)深圳市福田區(qū)福田街道福田區(qū)福明路雷圳大廈2605室
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英飛凌IRF7832 N30V 20A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
閩臺STANSON STN4438 SOP-8 60V 8.5A 30mΩ
威世SI4436DY **0V 8A用閩臺司坦森STN4438 替代
大中SM6029NSK **0V 5.2A用閩臺STN4438 替代
美國萬代AO4498 N30V 18A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
威世SI4162DY N30V 19A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
美國萬代AOD609 NP40V 替代用閩臺STC4301D NP40V
新潔能NCE609 NP40V 替代用閩臺STC4301D NP40V
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