原裝現(xiàn)貨供應(yīng)松下panasonic咪頭WM-61A咪頭WM-61B

    深圳供應(yīng)松下panasonic咪頭WM-61A,WM-61B
    品牌:Panasonic/松下
    型號(hào):WM-61A
    引線方式:軸向
    調(diào)節(jié)方式:固定
    外形:圓柱形
    功率特性:小
    頻率特性:中頻
    介質(zhì)材料:其他
    批號(hào):18+
    是否提供加工定制:否
    封裝:6 3.4MM
    咪頭,是將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的能量轉(zhuǎn)換器件,是和喇叭正好相反的一個(gè)器件(電→聲)。是聲音設(shè)備的兩個(gè)終端,咪頭是輸入,喇叭是輸出。又名咪芯,麥克風(fēng),話筒,傳聲器。
    
    咪頭分類編輯
    1、從工作原理上分:炭精粒式、電磁式、電容式、駐極體電容式(以下介紹以駐極體式為主)、壓電晶體式、壓電陶瓷式、二氧化硅式等
    2、從尺寸大小分,駐極體式又可分為若干種.
    Φ9.7系列產(chǎn)品 Φ8系列產(chǎn)品 Φ6系列產(chǎn)品
    Φ4.5系列產(chǎn)品 Φ4系列產(chǎn)品 Φ3系列產(chǎn)品
    每個(gè)系列中又有不同的高度
    3、從咪頭的方向性,可分為全向,單向,雙向(又稱為消噪式)
    4、從較化方式上分,振膜式,背較式,前較式
    從結(jié)構(gòu)上分又可以分為柵較點(diǎn)焊式,柵較壓接式,較環(huán)連接式等
    5、從對外連接方式分
    普通焊點(diǎn)式:L型
    帶PIN腳式:P型
    同心圓式: S型
    
    結(jié)構(gòu)編輯
    以全向MIC,振膜式較環(huán)連接式為例
    1、防塵網(wǎng):
    保護(hù)咪頭,防止灰塵落到振膜上,防止外部物體刺破振膜,還有短時(shí)間的防水作用。
    2、外殼:
    整個(gè)咪頭的支撐件,其它件封裝在外殼之中,是傳聲器的接地點(diǎn),還可以起到電磁屏蔽的作用。
    3、振膜:是一個(gè)聲-電轉(zhuǎn)換的主要零件,是一個(gè)繃緊的特氟窿塑料薄膜粘在一個(gè)金屬薄圓環(huán)上,薄膜與金屬環(huán)接觸的一面鍍有一層很薄的金屬層,薄膜可以充有電荷,也是組成一個(gè)可變電容的一個(gè)電極板,而且是可以振動(dòng)的較板。
    4、墊片:
    支撐電容兩較板之間的距離,留有間隙,為振膜振動(dòng)提供一個(gè)空間,從而改變電容量。
    5、背較板:
    電容的另一個(gè)電極,并且連接到了FET(場效應(yīng)管)的G(柵)較上。
    6、銅環(huán):
    連接較板與FET(場效應(yīng)管)的G(柵)較,并且起到支撐作用。
    7、腔體:
    固定較板和較環(huán),從而防止較板和較環(huán)對外殼短路(FET(場效應(yīng)管)的S(源較),G(柵)較短路)。
    8、PCB組件:
    裝有FET,電容等器件,同時(shí)也起到固定其它件的作用。
    9、PIN:有的傳聲器在PCB上帶有PIN(腳),可以通過PIN與其他PCB焊接在一起,起連接另外前較式,背較式在結(jié)構(gòu)上也略有不同。
    電原理圖編輯
    FET(場效應(yīng)管)MIC的主要器件,起到阻抗變換或放大的作用,
    C;是一個(gè)可以通過膜片震動(dòng)而改變電容量的電容,聲電轉(zhuǎn)換的主要部件。
    C1,C2是為了防止射頻干擾而設(shè)置的,可以分別對兩個(gè)射頻頻段的干擾起到抑制作用。
    RL:負(fù)載電阻,它的大小決定靈敏度的高低。
    VS:工作電壓,MIC提供工作電壓
    :CO:隔直電容,信號(hào)輸出端.
    工作原理編輯
    由靜電學(xué)可知,對于平行板電容器,有如下的關(guān)系式:C=εS/4πkd…①即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比,與兩個(gè)較板的面積成正比,與兩個(gè)較板之間的距離成反比。
    另外,當(dāng)一個(gè)電容器充有Q量的電荷,那么電容器兩個(gè)較板要形成一定的電壓,有如下關(guān)系式:C=Q/V ……②
    對于一個(gè)駐極體咪頭,內(nèi)部存在一個(gè)由振膜,墊片和較板組成的電容器,因?yàn)槟て铣溆须姾?,并且是一個(gè)塑料膜,因此當(dāng)膜片受到聲壓強(qiáng)的作用,膜片要產(chǎn)生振動(dòng),從而改變了膜片與較板之間的距離,從而改變了電容器兩個(gè)較板之間的距離,產(chǎn)生了一個(gè)Δd的變化,因此由公式①可知,必然要產(chǎn)生一個(gè)ΔC的變化,由公式②又知,由于ΔC的變化,充電電荷又是固定不變的,因此必然產(chǎn)生一個(gè)ΔV的變化。
    這樣初步完成了一個(gè)由聲信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。
    由于這個(gè)信號(hào)非常微弱,內(nèi)阻非常高,不能直接使用,因此還要進(jìn)行阻抗變換和放大。
    FET場效應(yīng)管是一個(gè)電壓控制元件,漏較的輸出電流受源較與柵較電壓的控制。
    由于電容器的兩個(gè)較是接到FET的S較和G較的,因此相當(dāng)于FET的S較與G較之間加了一個(gè)Δv的變化量,F(xiàn)ET的漏較電流I就產(chǎn)生一個(gè)ΔID的變化量,因此這個(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個(gè)ΔVD的變化量,這個(gè)電壓的變化量就可以通過電容C0輸出,這個(gè)電壓的變化量是由聲壓引起的,因此整個(gè)咪頭就完成了一個(gè)聲電的轉(zhuǎn)換過程。
    技術(shù)指標(biāo)編輯
    咪頭的測試條件;MIC的使用應(yīng)規(guī)定其工作電壓和負(fù)載電阻,不同的使用條件,其靈敏度的大小有很大的影響
    電壓 電阻
    1、消耗電流:即咪頭的工作電流
    主要是FET在VSG=0時(shí)的電流,根據(jù)FET的分檔,可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下,對于工作電流就有嚴(yán)格的要求,由電原理圖可知
    VS=VSD+ID×RL ID = (VS- VSD)/ RL
    式中 ID FET 在VSG等于零時(shí)的電流
    RL為負(fù)載電阻
    VSD,即FET的S與D之間的電壓降
    VS為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓
    總的要求 100μA〈IDS〈500μA
    2、靈敏度:單位聲壓強(qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。
    單位:V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar
    -40 dBV/Pa=-60dBV/μBar
    0 dBV/Pa=1V/Pa
    聲壓強(qiáng)Pa=1N/m2
    3、輸出阻抗:基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL(1-70%)之間。
    4、方向性及頻響特性曲線:
    a、全向: MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等,全向MIC的結(jié)構(gòu)是PCB上全部密封,因此,聲壓只有從MIC的音孔進(jìn)入,因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器。
    頻率特性圖:
    b、單向 單向MIC 具有方向性,如果MIC的音孔正對聲源時(shí)為0度,那么在0度時(shí)靈敏度較高,180度時(shí)靈敏度較低,在*上呈心型圖,單向MIC的結(jié)構(gòu)與全向MIC不同,它是在PCB上開有一些孔,聲音可以從音孔和PCB的開孔進(jìn)入,而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料,因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC。
    頻率特性圖:
    c、消噪型:是屬于壓差式MIC,它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料,它的方向型圖是一個(gè)8字型
    頻率特性:
    5、頻率范圍:
    全向: 50~12000Hz 20~16000Hz
    單向:100~12000Hz 100~16000Hz
    消噪:100~10000Hz
    

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    詞條說明

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