薄膜開關(guān)廠家淺談薄膜中含有大量的位錯的原因

時間：2017-01-18作者：東莞市雨菲電子科技有限公司瀏覽：242

　　薄膜中含有大量的位錯，位錯密度通?？蛇_(dá)10n^-10ucm-a，已達(dá)塊狀材料發(fā)生強塑性變形時位錯密度的數(shù)量級，之所以產(chǎn)生如此多的位錯，主要由下列原因引起:

　　薄膜中含有大量的位錯的原因

　　(1)取向不同的小島在合并時，晶格交接處發(fā)生小角度扭曲。如果小島十分小，那么它們還可以稍稍移動或旋轉(zhuǎn)以消除取向的差別。如果小島比較大，則不可能消除扭曲，因而在兩微晶的接觸區(qū)域產(chǎn)生位錯，如圖2-9所示。顯微鏡研究表明，在大尺寸小島接合的最后階段，位錯線的數(shù)目增加得特別多。

　　(2)基片與薄膜間的晶格常數(shù)不同，不僅引起界面處晶格畸變，還會導(dǎo)致小島之間的畸變，這樣當(dāng)兩個小島合并時，也會產(chǎn)生位錯。

　　(3)薄膜中的內(nèi)應(yīng)力會產(chǎn)生位錯。在薄膜的形成過程中(特別是在初期)，薄膜中常有孔洞，在孔洞的邊緣內(nèi)應(yīng)力集中，也*產(chǎn)生位錯。

　　(4)片表面的位錯在晶核形成過程中有可能延伸到晶粒中。除了位錯以外，還有一些其它類型的缺陷，如堆垛層錯、孿晶等，其密度通常在薄膜的搜蓋率為50%時達(dá)到較大值，然后隨著淀積增加又逐漸減小，在達(dá)到連續(xù)薄膜時會逐漸消失，對制好的薄膜進(jìn)行熱處理也會減少這類缺陷的數(shù)目。

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