國芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC52N04ADE用于UPS電源BUCK電路，導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ

時間：2022-12-07作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：75

國芯思辰接觸的某工程師在設(shè)計一款3kW的UPS電源，該項目中需要一款低壓MOS在Buck電路用作開關(guān)。規(guī)格要求：輸出電壓40V，輸出電流40A，封裝DFN3*3。本文推薦優(yōu)晶N溝道MOSFET器件YC52N04ADE。下圖是YC52N04ADE應(yīng)用于UPS電源BUCK電路的典型應(yīng)用框路：




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上圖是DC-DC拓?fù)渲籅UCK電路，它是一種降壓類型電路。該電路主要元器件包括開關(guān)管、電感、續(xù)流二極管、濾波電容。優(yōu)晶N溝道MOSFET器件YC52N04ADE漏源電壓40V，連續(xù)漏較電流52A，RDS (ON) =4.2mΩ(典型值)@VGS=10V，RDS (ON) =6.5mΩ(典型值)@VGS=4.5V，其**高密度單元設(shè)計和快速切換能力非常適用于BUCK電路。




綜上，優(yōu)晶N溝道MOSFET器件YC52N04ADE應(yīng)用于UPS電源BUCK電路的優(yōu)勢有以下幾點：

1、YC52N04ADE采用DFN3*3封裝，有效減少了PCB設(shè)計空間。

2、YC52N04ADE較大柵源較間電壓為±20V，結(jié)到殼與結(jié)到環(huán)境的熱阻值低，減少系統(tǒng)整體發(fā)熱量。

3、YC52N04ADE經(jīng)過**雪崩測試，可提供無鉛和綠色環(huán)保器件，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

4、YC52N04ADE性價比相對國外其他品牌較有優(yōu)勢。




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