SIEMENS潯之漫智控(上海)有限公司
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西門子PLC,西門子屏,西門子數(shù)控,西門子軟啟動(dòng),西門子以太網(wǎng)
西門子電機(jī),西門子變頻器,西門子直流調(diào)速器,西門子電線電纜
我公司大量現(xiàn)貨供應(yīng),優(yōu)勢(shì),品質(zhì)保
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1、確定方案
被控對(duì)象較差,工藝復(fù)雜,考慮用PLC控制。
控制很簡(jiǎn)單,可考慮用繼電器控制。
用PLC控制,首先要了解的工作及所有功能要求,從而分析被控對(duì)象的控制,輸入/輸出量是開(kāi)關(guān)量還是模擬量,明確控制要求,繪出控制的流程圖。
2、選擇PLC機(jī)型
PLC在可靠上是問(wèn)題的,機(jī)型的選擇主要是考慮在功能上的要求。
機(jī)型的選擇依據(jù):控制對(duì)象的輸入量、輸出量
工作電壓
輸出功率
現(xiàn)場(chǎng)對(duì)的響應(yīng)速度要求
控制室與現(xiàn)場(chǎng)的距離等。
3、選擇I/O設(shè)備,列出I/O地址分配表
輸出設(shè)備:控制按鈕、行程開(kāi)關(guān)、接近開(kāi)關(guān)等
輸出設(shè)備:器、電磁閥、燈等
1)確定輸入、輸出設(shè)備的型號(hào)和數(shù)量;
2)列寫(xiě)輸入/輸出設(shè)備與PLC的I/O地址對(duì)照表;
3)繪制接線圖及編程。
分配I/O地址時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):
1)把所有按鈕、行程開(kāi)關(guān)等集中配置,按順序分配I/O地址。
2)每個(gè)I/O設(shè)備占用1個(gè)I/O地址。
3)同一類型的I/O點(diǎn)應(yīng)盡量安排在同一個(gè)區(qū)。
4)彼此有關(guān)的輸出器件,如電動(dòng)機(jī)正反轉(zhuǎn),其輸出地址應(yīng)連續(xù)分配。
4、設(shè)計(jì)電氣線路圖
1)繪制電動(dòng)機(jī)的主電路及PLC外部的其它控制電路圖。
2)繪制PLC的I/O接線圖
注:接在PLC輸入端的電器元件一律為常開(kāi)觸點(diǎn),如停止按鈕等。
2)繪制PLC及I/O設(shè)備的供電圖
輸入電路一般由PLC內(nèi)部提供電源,輸出電路根據(jù)負(fù)載的額定電壓外接電源。
5、程序設(shè)計(jì)與調(diào)試
程序設(shè)計(jì)可用設(shè)計(jì)法或功能表圖設(shè)計(jì)法,或者是兩者的組合。
6、總裝調(diào)試
接好硬件線路,把程序輸入PLC中,聯(lián)機(jī)調(diào)試。
PLC包含輸入模塊、輸出模塊和輸入/輸出模塊。因?yàn)樵S多輸入和輸出都涉及現(xiàn)實(shí)中的模擬變量——而控制器是數(shù)字式的—PLC硬件設(shè)計(jì)將主要圍繞如下方面展開(kāi):數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、輸入和輸出調(diào)理、輸入/輸出模塊的電氣連線與控制器之間以及模塊相互之間的隔離問(wèn)題。
I/O模塊的分辨率范圍從12位到16位,在整個(gè)級(jí)溫度范圍的精度為0.1%。模擬輸出電壓范圍通常為±5V、±10V或者0V~5V、0V~10V,電流范圍為4~20mA或0~20mA。對(duì)DAC的時(shí)間要求,從10ms一直到100ms,具體則取決于應(yīng)用的實(shí)際要求。模擬輸入范圍廣泛,由電橋傳感器輸出的±10mV微弱電壓;也有電機(jī)控制器±10V的電壓,或者控制的4~20mA電流。轉(zhuǎn)換時(shí)間則取決于所要求的精度和所選用的ADC架構(gòu),從10SPS到幾百KSPS。
數(shù)字隔離器、光耦隔離器或者電磁隔離器用來(lái)將現(xiàn)場(chǎng)的ADC、DAC和調(diào)理電路與數(shù)字端的控制器隔離開(kāi)來(lái)。如果模擬端的也必須實(shí)現(xiàn)充分隔離的話,在輸入或者輸出的每個(gè)通道必須采用轉(zhuǎn)換器以便大限度通道間的隔離度—電源的隔離也是必需的。
iCMOS 工藝
iCMOS是一種新型的高能制造工藝,它將高壓的集成電路與亞微米級(jí)CMOS和互補(bǔ)雙較型工藝融為一體,在PLC設(shè)計(jì)的輸入、輸出部分所。
iCMOS使得單芯片的設(shè)計(jì)能夠融合5V CMOS并實(shí)現(xiàn)其與電壓較高的(16、24或者30V)CMOS電路的匹配——于是同一塊芯片將擁有多路不同電壓的電源。由于能夠如此靈活地將各種元件和工作電壓集成到一起,亞微米的iCMOS 器件具有較高的能,其集成的功能更多,而功耗較低——而且所需要的電路板面積大大小于前幾代高壓產(chǎn)品。其中的雙較型工藝為ADC、DAC和低失調(diào)放大器提供了的基準(zhǔn)源,出色的匹配特和高度的。
薄膜電阻具有高達(dá)12位的初始匹配特,經(jīng)過(guò)修調(diào)后可以實(shí)現(xiàn)16位的匹配,溫度和電壓系數(shù)與的多晶硅的電阻相比,了20倍,是高準(zhǔn)確度、高精度的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的選擇。片上的薄膜熔斷器使得高精度轉(zhuǎn)換器的積分非線、偏置和益等能可以用數(shù)字化的來(lái)校準(zhǔn)。
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詞條
詞條說(shuō)明
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