磁控濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)點和缺點有哪些？

時間：2021-11-09作者：廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司瀏覽：683

在真空鍍膜技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)屬于比較常見的一種鍍膜技術(shù)。今天，廣東真空鍍膜設(shè)備廠家就告訴大家，磁控濺射鍍膜技術(shù)的優(yōu)點和缺點：

　　1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷??；

　　2、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實現(xiàn)濺射；

　　3、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；

　　4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；

　　5、濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；

　　6、能夠控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大??；

　　7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；

　　8、易于實現(xiàn)工業(yè)化。

　　但磁控濺射也存在著一些問題，主要有：

　　1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈。相應(yīng)地，環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度高的部位。在磁控濺射時，可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發(fā)出強烈的淡藍(lán)色輝光，形成一個光環(huán)。處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊嚴(yán)重的部位，會濺射出一條環(huán)狀的溝槽。環(huán)狀磁場是電子運動的軌道，環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來。磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材，就會導(dǎo)致整塊靶材報廢，所以靶材的利用率不高，一般**40％；

　　2、等離子體不穩(wěn)定；

　　3、不能實現(xiàn)強磁性材料的低溫高速濺射，因為幾乎所有的磁通都通不過磁性靶子，所以在靶面附近不能加外加強磁場。

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  詞條說明

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