供應(yīng) ESD9B5VL-2/TR 絲印U.B 防靜電保護(hù)二極管 FBP-02C

時間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：58

描述
ESD9B5VL是一個雙向TVS（瞬時電壓抑制器）。它是專門設(shè)計用來保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線路和控制線路的敏感電子元件免受ESD（靜電放電）、EFT（電氣快速瞬態(tài)）和閃電引起的過應(yīng)力。
根據(jù)IEC91000-4-2，ESD9B5VL可用于提供ESD保護(hù)，電壓高達(dá)±20kV（觸點和空氣放電），并根據(jù)IEC61000-4-5，可承受高達(dá)3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。
ESD9B5VL可在FBP-02C軟件包中獲得。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是無鉛和無鹵素的。
特征
? 反向隔離電壓：較大±5V
? 根據(jù)
IEC61000-4-2（ESD）：±20kV（接觸和空氣放電）
IEC61000-4-4（EFT）：20A（5/50ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：3A（8/20μs）
? 電容：CJ=5.0pF典型值。
? 低泄漏電流：IR<1nA典型值。
? 低箝位電壓：VCL=13V典型值。@IPP=16A（TLP）
? 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用
? 手機
? 平板
? 筆記本電腦
? 其他便攜式設(shè)備
? 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備


深圳市南北行電子發(fā)展有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類,變壓器類,連接器類,按鍵類,私人訂制BOM配單等

• 詞條

  詞條說明

• 英飛凌mos管原裝IPA80R600P7XKSA1**N溝道功率場效應(yīng)

  MOSFET 800V、CoolMOSa、P7、功率晶體管 較新的800V CoolMOS?P7系列設(shè)置了一個新的基準(zhǔn)，采用800V **級、連接、技術(shù)和結(jié)合了*的性能和 英飛凌18年來較**的易用性 開拓性、**級、交叉、技術(shù)、創(chuàng)新。 特征 ?同類較佳 FOM  RDS（on）* EOS；減少的、Qg、Ciss和Coss ?“同類較佳”、DPAK、RDS（on） ?“同類較佳”、3V的V

• 原裝**STM32F103C8T6 103CBT6 GD32F103C8T6 封裝LQFP48 單片機

  描述 STM32F103xx中密度性能系列包含高性能ARM?皮質(zhì)?-M3 32位RISC內(nèi)核以72 MHz頻率工作，高速嵌入式內(nèi)存（閃存高達(dá)128 KB，SRAM高達(dá)20 KB），以及連接到兩條APB總線的各種增強型I/O和外圍設(shè)備。所有設(shè)備都提供兩個12位ADC、三個通用16位定時器和一個PWM定時器，以及標(biāo)準(zhǔn)和**通信接口：較多兩個I2C和SPI、三個USART、一個USB和一個CAN。這些設(shè)

• 全新原裝AO3407 貼片SOT23-3 30V 4.1A P溝道 MOS場效應(yīng)管

  AO3407采用**的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。 AO3407 規(guī)格信息： 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶 系列- 零件狀態(tài)有源 FET 類型P 通道 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）30V 電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時）4.1A（Ta） 驅(qū)動電壓（較大 Rds On，較小 Rds On）4.5V，10V 不同Id，Vgs

• 供應(yīng) FS8205 GM8205 鋰電池保護(hù)IC 貼片TSSOP-8 全新原裝

  深圳市南北行電子發(fā)展有限公司 GM8205A 雙N通道高密度溝槽MOSFET（20V、6.0A） 產(chǎn)品摘要VDSSIDRDS(on)(m-歐姆)較大28@VGS=4.0V，ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V，ID=5.2A 特點**的溝工藝技術(shù)高密度電池設(shè)計**低電阻鉛免費產(chǎn)品獲得表面安裝包 **較大額定功率（TA=25oC，除非另有說明）符號參數(shù)額定功率單元VDS排水源電壓20VV