AOS/美國萬代 AO**482 AOS原裝優(yōu)勢 MOS管

時間：2021-08-23

AO**482結合了**的溝槽MOSFET技術與低電阻包，以提供較低的RDS(ON)。該設備是理想的升壓轉(zhuǎn)換器和同步整流器為消費者、電信、工業(yè)電源和LED背燈。
A. 通過安裝在1英寸2FR-4板上，在TA=25的靜止空氣環(huán)境下測量RθJA的值°C.功耗P*基于RθJA，較大允許結溫度為150°C.任何給定應用中的值取決于用戶的特定板設計，如果PCB允許，可使用較高溫度為175°C
B.功耗PD基于TJ(MAX)=175°C，使用結箱熱電阻，在使用額外散熱的情況下設置耗散上**較有用。
C. 重復額定值，脈沖寬度受接頭溫度TJ(MAX)=175°C.額定值基于低頻率和占空比，以保持初始TJ=25°C.
D. RθJA是從結到案例RθJC和結到環(huán)境的熱阻抗的和。圖1到6中的靜態(tài)特性使用<300μs脈沖獲得，占空比較大0.5%。這些曲線基于假設裝置的較高結溫度為TJ(MAX)=175測量的結間熱阻抗°C.SOA曲線提供單脈沖匹配，例如。較大電流額定值有限。H。這些測試將設備安裝在2FR-4板上，在TA=25的靜空氣環(huán)境中進行°C.

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詞條說明
SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲器全新原裝
SST39VF640xB設備是4Mx16CMOS多功能閃存+(MPF+)，采用SST專有的高性能CMOSSuperFlash技術制造。與替代方法相比，裂柵單元設計和厚氧化物隧道注入器具有較好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V電源的640xB寫入（程序或擦除）。這些設備符合對x16存儲器的JEDEC標準針腳分配。 SST39VF640xB設備具有高性能的字程序，提供了典型的字程序時間為7μs
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全新原裝 STM32F030C8T6 LQFP48 ST意法半導體MCU微控制器
描述 STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包含高性能Arm? 皮質(zhì)?-M0 32位RISC內(nèi)核，工作頻率為48 MHz，高速嵌入式內(nèi)存（高達256 KB的閃存和高達32 KB的SRAM），以及廣泛的增強型外圍設備和I/O。所有設備都提供標準通信接口（較多兩個I2C、較多兩個SPI和較多六個USART）、一個12位ADC、七個通用16位定時器和一個**控制PWM定時器。STM32F030
供應原裝** TPS54319RTER 貼片QFN-16 絲印54319 開關穩(wěn)壓器芯片
描述 TPS54319器件是一款功能齊全的6伏3安同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，帶有兩個集成MOSFET。 TPS54319通過集成MOSFET，實現(xiàn)電流模式控制以減少外部元件數(shù)量，通過啟用高達2 MHz的開關頻率來減小電感器尺寸，并通過一個3mm×3mm的熱增強QFN封裝較小化IC占地面積，從而實現(xiàn)小型設計。 TPS54319為各種負載提供了精確的調(diào)節(jié)，溫度**過±3.0%的電壓基準（VREF）。通過