場效應管和復合晶體管分類與介紹

時間：2020-05-25

場效應管和復合晶體管是什么概念

場效應管（Field Effect Transistor, FET）5**0F 是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。三管稱電流控制元件；場效應管稱電壓控制元件。場效應管具有輸入電阻高（高可達1015Ω）、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、耗電省等優(yōu)點。復合晶體管是指把幾個晶體管或電阻器連接起來而構(gòu)成具有一定功能的集成器件。常用的復合晶體管有達林頓管、絕緣柵雙晶閘管（IGBT）和帶阻三管等。

場效應管的分類場效應管分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名；絕緣柵型場效應管（JGFET）則因有柵（閘）與其他電絕緣而得名。結(jié)型場效應管分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場效應管除有N溝道和P溝道之分外，還有增強型和耗盡型之分。

目前在場效應管中，應用為廣泛的是絕緣柵型場效應管，簡稱MOS管或MOSFET。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管及VMOS功率模塊等。P溝道場效應管的工作原理與N溝道場效應管相同，只不過導電的載流子不同，供電電壓性不同，這如同雙性三管有NPN型和PNP型一樣，對于結(jié)型場效應管而言，漏和源可以互換。

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