常用技術(shù)參數(shù)與元件參數(shù)的計算1.“電流”預(yù)先估計輸出功率:+5.0×2=10.0W(max)輸入功率:Pout/ηEst=10.0/0.80=12.5W功率開關(guān)損耗:(12.5-10)×0.4=1.0W續(xù)流二管損耗:(12.5-10)×0.6=1.5W2.輸入平均電流低電壓輸入時:12.5/10=1.25A高電壓輸入時:12.5/14=0.9A估計峰值電流:1.4Iout(rated)=1.4×2.0=2.8A要求的工作頻率:100kHz。
3.電感設(shè)計差工作條件是發(fā)生在高輸入電壓的情況。
Lmin=
=
=82.6μH
式中,Vin(max)為輸入電壓大值; Vout為輸出電壓;Iout(min)為小負載電流;?sw為工作頻率。電感采用在J型引線塑料安裝板上安裝的表面安裝環(huán)形電感。從很多廠商那里都可以得到標(biāo)準(zhǔn)表面安裝的電感,在這里選用Coilcraft公司的器件,型號為DO3340P-104。
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車充IC LP6498B LP6490F LP6490 LP6490A LP6492 5.1V/1A/2.1
車充IC LP6498B LP6490F LP6490 LP6490A LP6492 做5.1V/1A/2.1~2.4A方案資料LP6498B 5.1V/1A 低成本方案?1、內(nèi)置MOS,同步降壓控制器,高率88%2、輸入高耐壓36V,輸出固定5.1V,無外圍原件,低BOM成本3、200KHZ開關(guān)頻率支持小貼片電感15uH4、低靜態(tài)電流5mA及輸入欠壓保護5、輸出電壓精度±1.5%,恒壓
MOS管為壓控元件,你只需加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降小.這就是常說的精典是開關(guān)效果.去掉這個操控電壓經(jīng)就截止。MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,歸于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時被稱為場效應(yīng)管。在一
國內(nèi)啟達CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開關(guān)
國內(nèi)啟達CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開關(guān)CR6245 CR6345 系列采用反激式電路拓撲,輸出和輸入高壓使用變壓器隔離。在這種反激拓撲中,開關(guān)管導(dǎo)通時,變壓器儲存能量,負載電流由輸出電容提供;開關(guān)管關(guān)斷時,變壓器將儲存的能量傳遞到負載和輸出濾波電容,以補償電容單提供負載電流所消耗的能量。芯片特點: CC/CV 控制,*光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開關(guān) MOSFET低的啟
電源ic是指開關(guān)電源的脈寬控制集成,電源靠它來調(diào)整輸出電壓電流的穩(wěn)定。電源IC的分類:電源IC現(xiàn)在的發(fā)展趨勢已經(jīng)不局限于單一功能,而是將各種功能整合在一起,所以電源IC目前多的被稱為電源管理IC,或電源管理單元(PMU)。電源IC對封裝的要求:產(chǎn)品散熱要求高, 需要將新型、小型的封裝技術(shù)引人到電源產(chǎn)品中。另外對于功能整合,SiP可能在SoC尚未成型之前, 成為一個重要的解決方。SiP是將不同的芯片
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