深圳維爾克斯光電代理的立陶宛Optogama非線性光學(xué)晶體,是對于激光強(qiáng)電場顯示二次以上非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體。非線性光學(xué)晶體是一種功能材料,其中的倍頻(或稱“變頻”)晶體可用來對激光波長進(jìn)行變頻,從而擴(kuò)展激光器的可調(diào)諧范圍,在激光技術(shù)領(lǐng)域具有重要應(yīng)用**。立陶宛Optogama公司為基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和工業(yè)應(yīng)用提供不同的非線性晶體。晶體生產(chǎn)技術(shù)有:通量法,CZ,Stepanov,Kyropoulos,溫度梯度法。本文介紹的晶體有以下3種:KDP,DKDP晶體、鈮酸鋰晶體、ZGP晶體。
二磷化鍺鋅(ZnGeP2,ZGP)晶體因其*特的性能被認(rèn)為是中紅外非線性晶體的“標(biāo)準(zhǔn)”。它們具有較好的非線性(d36=75 pm/V@9.6μm)和熱導(dǎo)率(36W/mk@|c,35W/mk@⊥c),包括相對較高的激光損傷閾值。ZGP晶體具有較寬的傳輸范圍(2μm-12μm),可成功應(yīng)用于大功率中紅外諧波發(fā)生器、差頻發(fā)生器和光學(xué)參量振蕩器。
磷酸二氫鉀(KH2PO4, KDP)和磷酸二氘鉀(KD2PO4, DKDP)晶體是較古老的非線性材料之一。DKDP和KDP被稱為類似物,盡管它們的性質(zhì)因DKDP氘化而不同,但是它們都具有良好的紫外透過性和高的損傷閾值。因?yàn)榉蔷€性度相對較低,所以這些晶體可以大批量生產(chǎn)。他們發(fā)現(xiàn)它們被應(yīng)用于摻Nd激光器的非線性倍頻器、三倍頻器和諧振器,以及Ti:藍(lán)寶石、綠寶石和摻釹激光器的Q開關(guān)器件。主要缺點(diǎn)是這些晶體具有很強(qiáng)的吸濕性,因此必須確保密封外殼和干燥操作條件。
鈮酸鋰(LiNbO3, LN)是光子學(xué)和光電子領(lǐng)域的一種多用途材料.其透光范圍從4 2 0nm到5.2μm,具有優(yōu)良的非線性光學(xué)、電光和壓電性能。較常見的應(yīng)用包括紅外距離光調(diào)制和Q開關(guān),非線性頻率轉(zhuǎn)換>1μm波長。它們的電學(xué)和光學(xué)性能可以通過摻雜鎂或鋯來調(diào)節(jié)。
KDP,DKDP晶體主要特點(diǎn):
-優(yōu)良的紫外線輻射傳輸
-高激光損傷閾值
-可根據(jù)要求提供定制晶體
KDP,DKDP晶體主要應(yīng)用:
-Nd摻雜激光器的倍頻器、三倍頻器和四倍頻器
-Ti:藍(lán)寶石,綠寶石,Nd摻雜激光器的調(diào)Q開關(guān)
KDP,DKDP晶體技術(shù)特性:
化學(xué)公式 KH2PO4 (KDP) KD2PO4 (DKDP)
晶體結(jié)構(gòu) 四邊形,42m 四邊形,42m
晶格參數(shù) 負(fù)單軸(NO>Ne) 負(fù)單軸(NO>Ne)
密度 2.332克/cm3 2.355克/cm3
Mohs硬度 2.5 2.5
透光范圍 180 nm-1.5μm 200 nm-2μm
折射率@1,06μm no=1.4938,ne = 1.4599 no=1.4931,ne = 1.4582
KDP Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) no2=2.259276+13.00522λ2/(λ)2-400)+0.01008956/(λ)2 - (77,26408)-1); ne2=2.132668+3.2279924λ2/(λ)2-400)+0.008637494/(λ)2 - (81.42631)2)
Sellmeier方程@T=293K(λinμm) no2=2.240921+2.246956λ2/(λ)2 - (11.26591)2)+0.009676/(λ)2 - (0.124981)2); ne2=2.126019+0.784404λ2/(λ)2- (11.10871)2)+0.008578/(λ)2 - (0.109505)2)
KDP,DKDP晶體產(chǎn)品規(guī)格:
定位精度 <30 arcmin
透明孔徑 >90%
面尺寸公差 +0/-0.1毫米
長度公差 ±0.1毫米
平行度誤差 <20 arcsec
垂直度誤差 <5 arcmin
保護(hù)槽 <0.1 mm at 45°
表面質(zhì)量 20-10 S-D
波前平坦度 <λ/4@6328 nm
涂層 雙面抗反射涂層
激光損傷閾值 >10 J/cm2@1064 nm,KDP晶體10 ns
KDP,DKDP晶體產(chǎn)品型號:
SKU 材料 面尺寸 長度 塞塔 PHI 涂敷 應(yīng)用 價(jià)格(RMB)
9421 KDP 12x12毫米 5毫米 76.5° 45° AR/Ar@532/266 nm SHG@532NM,I型 3400
9422 KDP 15x15毫米 7毫米 76.5° 45° AR/Ar@532/266 nm SHG@532NM,I型 3900
9423 DKDP 15x15毫米 13毫米 36.5° 45° AR/Ar@532+1064 nm SHG@1064NM,I型 3950
9424 DKDP 15x15毫米 13毫米 53° 0° AR/Ar@532+1064 nm SHG@1064NM,第二類 3950
9425 DKDP 12x12毫米 20毫米 59.3° 0° AR/Ar@532+1064/355 nm THG@1064,第二類 3850
9426 DKDP 12x12毫米 20毫米 53° 0° AR/Ar@1064/532+1064nm SHG@1064NM,第二類 3850
9427 DKDP 15x15毫米 20毫米 53° 0° AR/Ar@1064/532+1064 nm SHG@1064NM,第二類 4850
9428 DKDP 15x15毫米 20毫米 59.3° 0° AR/Ar@532+1064/355 nm THG@1064NM,第二類 4850
鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn):
-透光率范圍從420 nm到5200 nm
-高非線性電光和聲光系數(shù)
-非吸濕性,機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性。
鈮酸鋰晶體主要應(yīng)用:
-電光調(diào)制與Q開關(guān)
-1064 nm泵浦光參量振蕩器
-周期較化鈮酸鋰準(zhǔn)相位匹配器件)
鈮酸鋰晶體技術(shù)特性:
化學(xué)公式 LiNbO3
晶體結(jié)構(gòu) 三角形,3m
光學(xué)對稱性 負(fù)單軸(N)o>ne)
密度 4.64克/厘米3
Mohs硬度 5
透明度范圍 4 2 nm-5.2μm
Sellmeier方程(λinμm) no2=4.9048+0.11768/(λ)2-0.04750)-0.027169λ2; ne2=4,5820+0,099169/(λ)2-0.04443)-0.021950λ2
折射率@1064 nm no=2.220,ne = 2.146
ZGP晶體的主要特點(diǎn):
-有效傳輸范圍從2μm到12μm
-高非線性(D)36=下午75:00/V@96μm)
-相對較高的損傷閾值(>60 mW/cm2)
ZGP晶體的主要應(yīng)用:
-用OPO和DFG技術(shù)產(chǎn)生中波、長波紅外連續(xù)可調(diào)諧輻射
-CO2和CO激光基波波長的諧波產(chǎn)生
-太赫茲距離頻率的產(chǎn)生
ZGP晶體的技術(shù)特性:
化學(xué)公式 ZnGeP2
晶體結(jié)構(gòu) 四邊形,42m
晶格參數(shù) A=5.465 a,c=10.708
光學(xué)對稱性 正單軸(N)e>no)
密度 4.162克/厘米3
Mohs硬度 5.5
透明度范圍@“0”透過率水平 0.74-12μm
Sellmeier方程@0.54-12.9μm(λinμm) no2=11.6413+0.69363/(λ)2 – 0.21967) + 1586.06/(λ)2 – 832.75); ne2=12.1438+0.75255/(λ)2 – 0.21913) + 2061.68/
(λ)2 – 951.07)
折射率@10.5μm no=3 0738,ne = 3,1137
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K 36(\x{e76f}c)-1K-1,35(⊥c)Wm-1K-1
激光損傷閾值 60兆瓦/厘米2@10.6μm,100 ns
詞條
詞條說明
一,新的光束整形器a | SqAiryShape2022年4月asphericon在其產(chǎn)品系列中增加了另一款緊湊型光束整形器。當(dāng)與聚焦透鏡結(jié)合使用時(shí),全新的a | SqAiryShape可產(chǎn)生適用于寬波長范圍的方形光束輪廓。它將在慕尼黑的激光光電子世界展會(Laser World of Photonics)上亮相,這是世界良好的光電子組件、系統(tǒng)和應(yīng)用貿(mào)易展。來自德國耶拿市的技術(shù)**aspheric
xenics長波紅外相機(jī)應(yīng)用于熱工藝監(jiān)控
熱工藝在許多行業(yè)中用于材料工程,例如熔化、成型或干燥。由于加工溫度可能很高,因此在加熱過程之后監(jiān)控冷卻非常重要,而且存在一定的火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn),工作過程需要安全控制,這樣可以安全地進(jìn)行流程或暫停等待下一步。實(shí)際上,過高的溫度可能會給后續(xù)程序步驟帶來麻煩。此外,儲存也是一個問題,因?yàn)樗赡軙鸹馂?zāi),導(dǎo)致生產(chǎn)停止,損壞產(chǎn)品,甚至損壞工廠。長波紅外相機(jī)(LWIR),為監(jiān)測溫度的適宜波長范圍長波紅外LWIR相機(jī)
新產(chǎn)品光子晶體導(dǎo)摸共振傳感器 Moxtek
維爾克斯光電近日和美國Moxtek公司達(dá)成合作關(guān)系,在中國國內(nèi)售賣其主營產(chǎn)品,Moxtek主營產(chǎn)品是X射線源,X射線探測器,X射線窗戶與偏光鏡,偏光片。除此之外還涉足生物芯片,下面是Moxtek公司3個在生物領(lǐng)域的新興技術(shù)介紹。可調(diào)諧的生物芯片基質(zhì),可增強(qiáng)檢測能力:Moxtek已開發(fā)出具有成本效益且可靠的方案,用于生物芯片基質(zhì)的調(diào)諧,美國Moxtek開發(fā)的這種方案可以獲得均勻的晶圓級金屬和電介質(zhì)納
optodiode探測器常見問題及解決方法如下。美國optodiode探測器響應(yīng)時(shí)間太長(時(shí)間常數(shù)太慢),第一步是檢查源強(qiáng)度。如果光源的強(qiáng)度太高(**過1mW/cm2),探測器材料將加熱到改變探測器特性的點(diǎn)。這種變化迫使探測器比較初進(jìn)行測量所需的時(shí)間較長,因?yàn)榛旧咸綔y器被重新敏化,這改變了探測器的光導(dǎo)特性。對探測器性能的影響程度取決于加熱/變化區(qū)域與整個探測器表面積的比率。optodiode探測器
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