解剖制樣技術(shù)的意義? X 射線透視技術(shù)、掃描聲學(xué)顯微術(shù)等無損失效分析技術(shù)只能解決有限的失效分析問題。對于大部分失效問題,必須采用解剖制樣技術(shù),實(shí)現(xiàn)芯片表面和內(nèi)部的可視察性和可探測性。失效分析必須有選擇地進(jìn)行剝層分析,稱為樣品制備過程。 以失效分析為目的的樣品制備技術(shù)的主要步驟包括:打開封裝、去鈍化層。對于多層結(jié)構(gòu)芯片來說,是需要去層間介質(zhì)。但必須保留金屬化層及金屬化層正下方的介質(zhì),還需要保留硅材料。為觀察芯片內(nèi)部缺陷,經(jīng)常采用剖切面技術(shù)和染色技術(shù)。 由于鈍化層的不導(dǎo)電性和對觀察和測試芯片的阻礙作用,去鈍化層成為樣品制備的重要步驟。用機(jī)械探視針進(jìn)行失效分析,探針必須與金屬化層直接接觸,由于鈍化層不導(dǎo)電,妨礙了這種接觸。采用掃描電鏡(SEM)和電子束測試(EBT)技術(shù)進(jìn)行失效分析時(shí),由于鈍化層不導(dǎo)電,其荷電作用影響了圖像和波形測試的質(zhì)量。 對多層結(jié)構(gòu)芯片的下層金屬進(jìn)行測試和觀察,必須克服層間介質(zhì)的障礙,去除層間介質(zhì)是一種有效的解決辦法。然而去除層間介質(zhì)的同時(shí),必須保留金屬化層,這是信號尋跡法失效定位的需求。金屬化層是導(dǎo)電的通道,只有導(dǎo)電才能實(shí)現(xiàn)信號尋跡并進(jìn)行失效定位。去除層間介質(zhì), 還要保留金屬化層正下方的介質(zhì),只有這樣才能使金屬化層有所依托。去除層間介質(zhì),還要保留硅材料,這是器件的**,否則器件就不存在了,較談不上失效定位。 去鈍化層和層間介質(zhì),保留金屬化層和硅材料,要求樣品制備技術(shù)具有選擇性。保留金屬化層及其正下方的介質(zhì),要求樣品制備技術(shù)具有方向性。 樣品開封的方法? 開封的方法**械開封方法、化學(xué)腐蝕開封方法和激光開封法。 什么是機(jī)械開封? 密封性器件,因其有一定的空腔,開封相對*,可采用適當(dāng)?shù)墓ぞ?,打開封蓋后,芯片直接裸露出來,可直接對芯片表面進(jìn)行檢查。大部分禮帽狀金屬殼封裝可用手動式晶體管開帽器打開,這種開帽器有鉗狀式和旋轉(zhuǎn)式兩種。陶瓷扁平封裝可用扁平封裝剪切開封器開封。金屬蓋陶瓷封裝可在研磨后用利器揭開;如果金屬蓋是用軟焊料焊的,則可加熱,將焊料熔化后揭開金屬蓋。由于封裝形式種類繁多,不可能逐一列出各自的步驟。但是,在機(jī)械開封前,必須通過X射線透視了解器件的封裝結(jié)構(gòu),必須時(shí)可用一個同類封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)性開封,**經(jīng)驗(yàn)后再對分析對象開封。 如需研磨,不管是水磨或干磨,要不斷地在顯微鏡下觀察,在快要磨穿時(shí)立即停止,再用利器揭蓋,防止碎屑進(jìn)入封裝內(nèi)。常見的機(jī)械開封外觀. 利用機(jī)械開封法去除封蓋之后的形象,可對封裝內(nèi)空腔、芯片、引線等進(jìn)行觀察。 什么是化學(xué)開封? 塑封器件的封裝材料主要是環(huán)氧模塑料。以環(huán)氧樹脂為基體樹脂,以酚醛樹脂為固化劑,再加上一些填料(如填充劑、阻燃劑、著色劑、偶聯(lián)劑等微量組分),在熱和固化劑的作用下環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基開環(huán)與酚醛樹脂發(fā)生化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生交聯(lián)固化作用,使之成為熱固性塑料,這就是環(huán)氧模塑料。環(huán)氧樹脂的種類和其所占比例的不同,直接影響著環(huán)氧塑料的流動特性、熱性能和電特性。 什么是激光開封? 銅鍵合絲具有成本優(yōu)勢、高導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性、較低的金屬間化合物產(chǎn)生速率、高溫下較佳的可靠度等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為金鋁鍵合絲的較佳替代品,用于密集引線鍵合的封裝中。采用銅鍵合絲的一般為塑料封裝,采用化學(xué)開封法開封,由于酸與銅引線之間的化學(xué)作用,在去除塑封材料的同時(shí),會把銅鍵合絲也腐蝕掉,失去了開封地意義。因此,針對銅引線鍵合的器件,可采用激光開封法進(jìn)行開封。激光開封機(jī)通過激光將封裝機(jī)器上的模塑料去掉,避免化學(xué)腐蝕直接開封法會對銅引線造成的腐蝕損傷。 激光開封機(jī)由計(jì)算機(jī)來設(shè)置開封區(qū)域和大小,并且控制激光的能量和掃描次數(shù),完成對銅引線鍵合封裝器件的封。激光波長通常為1064nm,功率為4.5W,激光級別為Class-4。
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聚焦離子束FIB在失效分析技術(shù)中的應(yīng)用
什么是聚焦離子束FIB: 聚焦離子束(FIB)技術(shù)類似于聚焦電子束技術(shù),其主要不同是用離子源代替電子源,用離子光學(xué)系統(tǒng)代替電子光學(xué)系統(tǒng)。FIB系統(tǒng)用鎵或銦作為離子源,在離子束流較小的情況下用作掃描離子顯微鏡,其原理與SEM類似。在離子束流較大的情況下,可局部去除和淀積靶材料,作芯片電路修改和局部剖切面。 聚焦式離子束系統(tǒng)利用靜電透鏡將Ca(鎵)元素離子離子化成Ca+,并將離子束聚焦成非常小的尺寸,
解剖制樣技術(shù)的意義? X 射線透視技術(shù)、掃描聲學(xué)顯微術(shù)等無損失效分析技術(shù)只能解決有限的失效分析問題。對于大部分失效問題,必須采用解剖制樣技術(shù),實(shí)現(xiàn)芯片表面和內(nèi)部的可視察性和可探測性。失效分析必須有選擇地進(jìn)行剝層分析,稱為樣品制備過程。 以失效分析為目的的樣品制備技術(shù)的主要步驟包括:打開封裝、去鈍化層。對于多層結(jié)構(gòu)芯片來說,是需要去層間介質(zhì)。但必須保留金屬化層及金屬化層正下方的介質(zhì),還需要保留硅材料
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