光磊-齊納管SD-00866G、**管、1214晶元綠光芯晶發(fā)紫光芯片
光磊光敏二極管、光敏IC、**管、接受管
一手貨源
聯(lián)勝正規(guī)品芯片,價(jià)格**有優(yōu)勢
光磊850的12
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電阻芯片CR-0007 90歐
CR-0012 36 240 480 800歐
850紅外ED-909IRP-PL
ED-912IRP-P 紫光
ED-1`P 150
PD090
ST-0124Z接收三極管
810ED-612IRP
1 。 )什么是齊納二極管的發(fā)光二極管的應(yīng)用?答:公共服務(wù)電子化/電匯功耗。
2 。 )為什么需要使用此齊納在LED ?答:保護(hù)藍(lán)/綠/白LED芯片。
3 。 )而導(dǎo)致需要使用此齊納在LED ?答:藍(lán)/綠/白。
4 。 )如何使用本齊納在LED ?答:反向并聯(lián)帶LED或使用雙向連接
5 。 )怎樣衡量反向漏的LED ?答:使用雙向齊納代替。
7 。 )焊盤金屬銀和鋁,這較好?答:這取決于客戶的粘合參數(shù)。
8 。 )可以提供經(jīng)過全面測試的芯片?答:是的!但成本。
9 。 )什么是ESD性能?答:根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。我們齊納通過8000V/HBM才能生存與8 mil芯片
10 )為什么**部表面的一些系列不是平面?答:由于我們使用的鋁合金擴(kuò)散技術(shù)它需要保護(hù)環(huán),以保持所有參數(shù)規(guī)格。
齊納二極管zener diodes(又叫穩(wěn)壓二極管)它的電路符號是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很少的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用.其伏安特性,穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。
齊納二極管不同于鍺二極管的是:如果反向電壓,有時(shí)簡稱為“偏壓”增加到某個(gè)特殊值,對于一個(gè)微小偏壓的變化,就會使電流產(chǎn)生一個(gè)可觀的增加。引起這種效應(yīng)的電壓稱為“擊穿”電壓或“齊納”電壓。2DW7型管的擊穿電壓在5.8-6.5V之間,較大電流是30mA。
穩(wěn)壓二極管是利用穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)域時(shí),利用其陡峭的反向擊穿特性在電路中起穩(wěn)定電壓作用。
穩(wěn)壓管主要用于恒壓源、輔助電源和基準(zhǔn)電源電路。
歡迎來到通盛(中國香港)齊納管電子有限公司大功率LED芯片網(wǎng)站,我公司位于經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá),交通發(fā)達(dá),人口密集的中國經(jīng)濟(jì)中心城市—深圳。
在制作大功率LED時(shí),很多時(shí)候在芯片抗ESD能力差時(shí)都會并聯(lián)一個(gè)齊納二極管;是否齊納二極管真能在一定程度上提高芯片的抗ESD能力?
我在分析了齊納二極管的原理之后個(gè)人認(rèn)為固晶作業(yè)時(shí)加固齊納二極管對于芯片的抗ESD能力無提升。
各位有什么好的意見何觀點(diǎn)敬請指正。
觀點(diǎn)一:
靜電的問題是比較復(fù)雜的,靜電電壓的高低、靜電能量的大小,都具有隨機(jī)性。
理論上講:
1. 對于遇到較低的靜電電壓和較小的靜電容量,在齊納管的瞬態(tài)極限功率范圍內(nèi),可以通過齊納管瀉放掉,若靜電容量**過齊納管道瞬態(tài)極限功率,齊納管也就陣亡了,呈現(xiàn)短路狀態(tài),此時(shí)LED也跟著犧牲了。
2. 在封裝上看,齊納管到電極間的金線比較長,對于靜電的突然引入放電,金線會產(chǎn)生電感作用,產(chǎn)生很高的感生電壓反向作用于LED芯片,對LED芯片較為不利。應(yīng)當(dāng)設(shè)法將齊納的引線盡可能短。
以上分析只所以要明確“理論上講”,是因?yàn)槲疫€沒有遇到可明確是靜電損壞的狀況。即使我們在操作時(shí)、烙鐵、設(shè)備、人員等都沒有任何接地防靜電措施(我們在深圳)。
我遇到LED一些有漏電的客訴,解剖芯片時(shí),芯片竟然不漏電。也有客戶說沒有加齊納管,生產(chǎn)的LED有漏電,加了之后也沒有改善,且往往是某一階段針對某種芯片發(fā)生。
有齊納管,針對靜電較多的場合和地區(qū),還是會減少些損失的。對于LED產(chǎn)生漏電,要具體分析。芯片的質(zhì)量、封裝的工藝、材料、環(huán)境的潔凈度等,都可能導(dǎo)致LED當(dāng)時(shí)、或存放一段時(shí)間、或短期通電后發(fā)生漏電。其實(shí),對于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,廠房地潔凈度、操作員的個(gè)人衛(wèi)生防護(hù)等是很重要的。而目前絕大多數(shù)LED封裝廠都在這方面做得很不夠。
觀點(diǎn)二首先,加了齊納管對提高LED燈的抗靜電是有直接作用的。
因?yàn)檫@個(gè)齊納二極管起到了靜電泄放作用,即當(dāng)LED芯片兩個(gè)電極之間受到一個(gè)感應(yīng)或者傳導(dǎo),積累到一定程度后,這個(gè)反向(一定是反向的)的能量就能在LED兩個(gè)電極之間迅速將LED芯片兩個(gè)電極層之間較近(電阻較低的路徑)的路徑燒熔LED,這個(gè)瞬間溫度達(dá)到1400度以上,但這個(gè)僅僅是一個(gè)或者幾個(gè)很微小的小孔。這就是LED被靜電擊損的原理
因?yàn)?,LED剖開分析時(shí),在高倍放大鏡下能看到這些小孔(像雪花狀),而且,有一個(gè)非常**的特點(diǎn)——他就發(fā)生在電極的附近,甚至是電極底部。不太專業(yè)的人很難判斷。
加了齊納二極管后,它就能將這個(gè)產(chǎn)生在LED芯片之間的靜電消滅掉,并且是滅在萌芽之時(shí),由于我們?nèi)粘V徐o電能量都很小,齊納二極管一般是不會陣亡的。
但是,目前市面上加了齊納二極管的LED還是會有被靜電損傷的,原因?yàn)椋浩鋵?shí)是在LED未加齊納管之前的時(shí)間——LED芯片很可能已經(jīng)受到靜電的損傷,有可能是較輕的,未被覺察。有一點(diǎn)要清楚的,加接齊納的LED,往往是因?yàn)長ED芯片本身的抗靜電指標(biāo)就很低————所以,這個(gè)做法很類似‘先天不足、后天努力’的做法我認(rèn)為,這個(gè)不太可取,尤其現(xiàn)在的LED抗靜電指標(biāo)也明顯比三四年前有了明顯的提高。
根據(jù)我們的實(shí)際測量的不同品牌的LED抗靜電指標(biāo),很多正規(guī)的LED抗靜電都能達(dá)到2000V以上,但部分B品、雜牌、韓系芯片抗靜電仍然很低。感覺芯片市場還是較混亂、零散。觀點(diǎn)三:
靜電放電,往往是一個(gè)高電壓的突波,以齊納管的頻率特性,是否滿足在這種突波到來時(shí)能立刻導(dǎo)通?不能及時(shí)導(dǎo)通,它的保護(hù)就不起作用。
齊納管是用來做穩(wěn)壓的,不是適合高頻的。適合高頻的要用肖特基管。價(jià)格可不是穩(wěn)壓管可比的。LED封裝是用不起的。靜電作用到LED,正負(fù)極性是隨機(jī)的,單向齊納管只對反向作用到LED上的電壓看起來有用,對于正向作用到LED上的高壓靜電,在是LED損壞來保護(hù)齊納管了。若采用雙向齊納管,那么齊納管的擊穿電壓和LED的反向擊穿電壓相差多少?還能起到什么樣的保護(hù)作用?通常,LED的反向擊穿電壓在30V以下,選用的齊納管的反向擊穿電壓在8V以下,而靜電動(dòng)則幾千伏、上萬伏。帶說一下,有些廠家把擊穿電壓大于8V的也叫齊納管,這是不正確的。只有小于6V的才適合叫做齊納管。大于8V的是雪崩擊穿。其實(shí)使用者沒有必要亂叫齊納管或雪崩管(某些人似乎想顯示一下自己專業(yè),其實(shí)顯擺錯(cuò)了),統(tǒng)統(tǒng)就叫做穩(wěn)壓管,你就不用擔(dān)心叫錯(cuò)了。
觀點(diǎn)四:
針對加齊納管是否對LED有提高的作用,我有以下一些經(jīng)驗(yàn)和經(jīng)歷和大家共勉:
1)實(shí)測過同芯片同工藝封裝出來的大功率LED,一部分固晶時(shí)加了齊納,一部分沒加,用**的ZY608半導(dǎo)體靜電測試儀器測試:沒加的抗靜電在500-2000V之間,加了齊納的,使用儀器極限值10KV,依然良好。結(jié)論:該大功率LED的芯片本身的抗靜電較差、加了齊納后抗靜電真的提高。
2)LED只存在反向靜電擊穿,絕不存在正向擊穿。
3)選用抗靜電能高一些的LED芯片是提高LED抗靜電較有效的辦法,如果采用加齊納的話,存在LED在未加的時(shí)候就已經(jīng)被靜電損傷,因?yàn)榻?jīng)典是無處不在,我見過在EPI(還未加電極的時(shí)候就造靜電損壞的)。
4)LED的抗靜電指標(biāo)絕不是體現(xiàn)它抵抗靜電強(qiáng)度那么簡單的一個(gè)體現(xiàn),了解LED芯片設(shè)計(jì)制造的(主要是EPI外延片的設(shè)計(jì))的人清楚的知道,LED芯片高抗靜電高與其漏電值、整體可靠性有很大關(guān)系,起碼可以這樣通俗的理解:抗靜電能力高的LED,它的綜合品質(zhì)也會高。
不知大家是否清楚大約三四年前吧,當(dāng)時(shí)的閩臺LED芯片就是面臨一個(gè)抗靜電難題,而當(dāng)時(shí)CREE、NICHIA都解決了其抗靜電難題,當(dāng)時(shí)我們實(shí)測CREE的達(dá)到6000-8000V,NICHIA的達(dá)到3000-4000V,而閩臺的大多數(shù)都還只是幾百伏的水平。
當(dāng)時(shí)較閩臺的元砷、泰谷就是較早想將自己的芯片應(yīng)用在LED顯示屏上,可他們只重視了亮度的提升,忽略了LED抗靜電指標(biāo),最后幾乎是在LED顯示屏應(yīng)用上沒有成功。
而如今,閩臺不少企業(yè)都改進(jìn)了,抗靜電指標(biāo)明顯的提升了不少,現(xiàn)在看到市面的LED屏不少都是用臺系的LED芯片做的。
5)我認(rèn)為LED照明應(yīng)用方面也應(yīng)要注重靜電,我個(gè)人推崇的認(rèn)為——LED生產(chǎn)企業(yè),只要你采用抗靜能力電高一些的LED芯片,好好封裝,你的產(chǎn)品肯定可靠穩(wěn)定。而LED用戶也是,選用抗靜電高的LED,那真的是管控LED品質(zhì)的**所在。
詞條
詞條說明
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