STP11NK40ZFP/P11NK40ZFP/400V/10/30W/功率MOSFET

時間：2016-11-29作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：47

STP11NK40ZFP產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
數(shù)據(jù)列表	STP11NK40ZFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝	50
包裝	管件 
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族	晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列	SuperMESH??
 
規(guī)格
 
FET 類型	MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能	標(biāo)準(zhǔn)
漏源較電壓（Vdss）	400V
電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時）	9A（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（較大值）	550 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（較大值）	4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵較電荷（Qg）	32nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）	930pF @ 25V
功率 - 較大值	30W
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型	通孔
封裝/外殼	TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝	TO-220FP
 
 


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• 詞條

  詞條說明

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  FQB5N90概述 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種**的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻， 并提供**的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（較大值）@VGS = 10 V, I

• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

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• BU406/FAIRCHILD仙童/TO-220/NPN晶體管

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