鑒別可控硅三個(gè)較的辦法很簡(jiǎn)單,依據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表丈量一下三個(gè)較之間的電阻值就可以。 陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),并且方向相反,因而陽(yáng)極和操控較正反向都不通)。 操控較與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規(guī)模,反向電阻比正向電阻要大??墒遣倏剌^二極管特性是不太抱負(fù)的,反向不是**呈阻斷狀況的,可以有比較大的電流經(jīng)過(guò),因而,有時(shí)測(cè)得操控較反向電阻比較小,并不能闡明操控較特性欠好。別的,在丈量操控較正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,避免電壓過(guò)高操控較反向擊穿。 若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與操控較短路,或操控較與陰極反向短路,或操控較與陰極斷路,闡明元件已損壞。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極(K)、陽(yáng)極(A)、操控較(G)。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其間一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,其引出端稱(chēng)T2較,其間一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連,其引出端稱(chēng)T2較,剩余則為操控較(G)。 1、單、雙向可控硅的區(qū)分:先任測(cè)兩個(gè)較,若正、反測(cè)指針均不動(dòng)(R×1擋),可能是A、K或G、A較(對(duì)單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G較(對(duì)雙向可控硅)。若其間有一次丈量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K較,黑筆接的為G較,剩余即為A較。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),其間必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G較,黑筆所接為T(mén)1較,余下是T2較。 2、功能的不一樣:將旋鈕撥至R×1擋,關(guān)于1~6A單向可控硅,紅筆接K較,黑筆一起接通G、A較,在堅(jiān)持黑筆不脫離A較狀況下斷開(kāi)G較,指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,此時(shí)可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A較再接通,指針應(yīng)退回∞方位,則標(biāo)明可控硅**。 關(guān)于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1較,黑筆一起接G、T2較,在確保黑筆不脫離T2較的前提下斷開(kāi)G較,指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不一樣而異)。然后將兩筆對(duì)調(diào),重復(fù)上述過(guò)程測(cè)一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則標(biāo)明可控硅**,且觸發(fā)電壓(或電流)小。 若堅(jiān)持接通A較或T2較時(shí)斷開(kāi)G較,指針當(dāng)即退回∞方位,則闡明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2辦法進(jìn)一步丈量,關(guān)于單向可控硅,閉合開(kāi)關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開(kāi)K燈仍不息滅,不然闡明可控硅損壞。 關(guān)于雙向可控硅,閉合開(kāi)關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開(kāi)K,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,重復(fù)上述過(guò)程,均應(yīng)是同一成果,才闡明是好的。不然闡明該器材已損壞。
詞條
詞條說(shuō)明
鑒別可控硅三個(gè)較的辦法很簡(jiǎn)單,依據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表丈量一下三個(gè)較之間的電阻值就可以。 陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),并且方向相反,因而陽(yáng)極和操控較正反向都不通)。 操控較與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規(guī)模,反向電阻比正向電阻要大??墒遣倏剌^二極管特性是不太抱負(fù)的,反向
類(lèi)別 型號(hào) IC 1302 IC 1117S15 IC 1117S33 IC 1117S50 IC 1117SADJ IC BT2323 IC IC5168 IC K3055 IC L6008L8 IGBT 15N120 IGBT 20N120 IGBT 25N120 IGBT DG15N120 場(chǎng)效應(yīng)管 10**0 場(chǎng)效應(yīng)管 2**0 場(chǎng)效應(yīng)管 4**0 場(chǎng)效應(yīng)管 5**0 場(chǎng)效應(yīng)管 6**0
公司名: 深圳高科特半導(dǎo)體有限公司
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