鵬城半導體亮相*八屆***三代半導體論壇

時間：2023-02-01

一年一度行業(yè)盛會，*八屆***三代半導體論壇（IFWS ）&*十九屆中國**半導體照明論壇（SSLCHINA）于2023年2月7日-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。

在這場被視為“***三代半導體行業(yè)*”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發(fā)明家院士、中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學的大學特聘教授Fred LEE**200多個報告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯(lián)·同芯共贏”大會主題，將在開、閉幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現(xiàn)*三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈*技術進展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風向"。

***三代半導體論壇（IFWS）是由*三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在中國地區(qū)舉辦的、具備較強影響力的*三代半導體領域年度盛會，是*****三代半導體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展；屆時鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體）也受主辦方的邀請將攜多款真空鍍膜解決方案包括熱絲CVD金剛石設備、多功能磁控濺射儀、電子束蒸鍍設備、等離子體增強化學氣相沉積等亮相該會議。

熱絲CVD金剛石設備（熱絲法化學氣相沉積系統(tǒng)）：研發(fā)設計制造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產(chǎn)型設備兩類。

設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。例如可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉；可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質涂層；環(huán)保領域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電極等。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質涂層制備。

平面工作尺寸：圓形平面工作的尺寸：較大φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1200mm）。

配置冷水樣品臺。

熱絲電源功率：可達300KW，1KW ～300KW可調（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

多功能磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

設備關鍵技術特點

秉承設備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的**工藝實現(xiàn)提供了精準的工藝設備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質量。

-靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。

-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸......

電子束蒸鍍設備（高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機）是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點材料。

真空性能

極限真空：7×10^-5Pa～7×10^-6Pa

設備總體漏放率：關機12小時，≤10Pa

恢復工作真空時間短，大氣至7×10^-4Pa≤30分鐘；

小編在此就不一一介紹啦，2023年2月7日-10日在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店與您**技術交流與探討。蘇州不見不散！

詞條
詞條說明
【喜訊】鵬城半導體榮獲誠信企業(yè)及AAA級企業(yè)信用等級證書
良好的信用是企業(yè)的核*心*競*爭力，是企業(yè)的“金名片”，較是客戶的“安心石”2022年12月，鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：公司簡介 - 鵬城半導體技術（深圳）有限公司）企業(yè)信用等級評價認證，經(jīng)權*威*機構評審，鵬城半導體喜獲“AAA*級企業(yè)信用等級”證書及“AAA信用企業(yè)等級”牌匾。信用等級認證采用國*際通行的“四等十級制”評級等級，分為：AAA、AA、A、BBB等十個級別。AAA級是企
真空鍍膜行業(yè)發(fā)展趨勢，低耗能無污染**技術
1、真空鍍膜行業(yè)技術水平及特點多功能磁控濺射儀（高真空磁控濺射鍍膜機）-鵬城半導體真空鍍膜是表面處理技術的一項分支，是指為了減少雜質的干擾，在高度真空環(huán)境下，通過物理或化學手段，將金屬、非金屬或化合物材料（膜材）轉換成氣態(tài)或等離子態(tài)，并沉積于玻璃、金屬、陶瓷、塑料或**材料等固體材質（簡稱基材、基板或基片）表面形成薄膜的過程。利用真空鍍膜技術鍍制薄膜后，可使材料表面獲得新的復合性能并實現(xiàn)新型的工程
等離子體化學氣相沉積設備有哪些特點《臺風資訊》
等離子體化學氣相沉積設備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學氣相沉積)，另一個是PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)，它們都是在20世紀70年代發(fā)展起來的鍍膜工藝。其特點是:1、在不同基片上制備各種金屬膜、**物聚合膜、非晶態(tài)無機物膜;2、等離子體清洗基材，使膜層的附著力增加;3、可制備厚膜，內應力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產(chǎn)生微裂紋;4、低溫成膜，溫度對基材沒什么影響，避免了
PVD技術在半導體器件中的應用
在快速發(fā)展的半導體技術領域，物相沉積（PVD）是實現(xiàn)薄膜沉積工藝精度和效率的關鍵工具。讓我們一起來了解PVD技術在半導體行業(yè)中的應用。物相沉積涉及在半導體襯底上沉積薄膜，利用諸如濺射或蒸發(fā)等物理過程。PVD的多功能性和可控性使其成為半導體制造中的寶貴工具，可以創(chuàng)建復雜和的設備。PVD在微電子學中的應用薄膜晶體管(TFTs)PVD在TFT的制造中起著關鍵作用，TFT是平板顯示器、發(fā)光二管(OLED)