可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管鑒別可控硅三個(gè)較的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)較之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制較正反向都不通)??刂戚^與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制較二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的。 可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn):體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 可控硅模塊的分類:可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。
詞條
詞條說明
IGBT模塊的主要應(yīng)用領(lǐng)域——智能電網(wǎng)
電網(wǎng)的智能化就被稱為“電網(wǎng)2.0”,它是建立在集成的、高速雙向通信網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)上,通過**的傳感和測(cè)量技術(shù)、**的設(shè)備技術(shù)、**的控制方法以及**的決策支持系統(tǒng)技術(shù)的應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)的可靠、安全、經(jīng)濟(jì)、高效、環(huán)境友好和使用安全的目標(biāo),其主要特征包括自愈、激勵(lì)和保護(hù)用戶、抵御攻擊、提供滿足21世紀(jì)用戶需求的電能質(zhì)量、容許各種不同發(fā)電形式的接入、啟動(dòng)電力市場(chǎng)以及資產(chǎn)的優(yōu)化高效運(yùn)行。而智能電網(wǎng)中,IGBT模
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光
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