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詞條說明
可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起
工欲善其事,必先利其器 -- 新版SemiSel V5 功率半導(dǎo)體選型工具
效率較高、設(shè)計(jì)較緊湊、功率密度較高,同時(shí)確保盡快上市、滿足目標(biāo)成本?……以上列舉的要求不過是電力電子開發(fā)人員所面臨的眾多挑戰(zhàn)的一部分。開發(fā)人員需要在變化多樣的產(chǎn)品市場(chǎng)中選擇合適的器件,SemiSel應(yīng)運(yùn)而生。這一款高效的選型工具可以幫助產(chǎn)品開發(fā)人員在選型時(shí)做出正確的選擇。SemiSel迄今仍是同類工具中較全面的免費(fèi)工具,可以用于研究不同運(yùn)行條件下的各種電力電子電路。在用戶友好性、功能復(fù)雜
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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