KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：26

立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.

 

在對(duì)立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	RFICP140
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>600 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵直徑	14 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	24.6 cm
直徑	24.6 cm
中和器	LFN 2000

  

該實(shí)驗(yàn)中, 采用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為硅片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N2 的混合氣體.

 

磁控濺射是物相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過(guò)控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到加致密, 均勻, 結(jié)合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問(wèn)題, 從環(huán)境保護(hù)的角度來(lái)看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍加環(huán)保.

 

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:

采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時(shí), 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點(diǎn).

 

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