MOS

時(shí)間：2021-05-28作者：東莞市昊順電子有限公司瀏覽：571

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 新潔能功率器件MOSFET管

  金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSF

• MOSFET

  從名字表面的角度來(lái)看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的**個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵較（gate?electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，隨后MOSFET柵較使用多晶硅取代了金屬。在處理器中，多晶硅柵已經(jīng)不是主流技術(shù)，從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始，柵較開始重

• 企業(yè)文化

  專業(yè)直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案制造商，多種系列直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案，方案應(yīng)用于家用電器、辦公室用品、個(gè)人護(hù)理、醫(yī)療器械、電動(dòng)工具、智能機(jī)器人等行業(yè)。

• 新潔能

  新潔能功率器通過(guò)采用較**的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實(shí)現(xiàn)了功率密度較大化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過(guò)程中的導(dǎo)通損耗。同時(shí)，電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會(huì)較加均勻穩(wěn)定；應(yīng)對(duì)于高頻率的開關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計(jì)師們提供低開關(guān)損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)C），其有效降低了柵較電荷（Qg），尤其是柵較漏較間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過(guò)程中降低開關(guān)功率損耗。通過(guò)采用這些**的技術(shù)手段