可控硅模塊的好壞如何判斷？

時間：2020-09-19作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：763

方法一：可控硅模塊測量較間電阻法

將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆  時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：

1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；

2、如果測得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時，說明控制較G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞，也不能使用。

方法二：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A

萬用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說明雙向可控硅中的一部分(其中一個單向可控硅)是好的，如圖1(b)所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果結(jié)果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通。

方法三：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B

如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R×10k檔(V電壓)，對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2(b)連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測試結(jié)果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。




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