失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因,采取有效措施,使同類失效事故不再重復(fù)發(fā)生,可避免較大的經(jīng)濟(jì)損失和人員傷亡; 2、促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展 a. 19世紀(jì)工業(yè)革命,蒸汽機(jī)的使用促進(jìn)鐵路運(yùn)輸,但連續(xù)發(fā)生多起因火車軸斷裂,列車出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗(yàn)研究表明:裂紋均從輪座內(nèi)緣尖角處開(kāi)始。認(rèn)識(shí)到:金屬在交變應(yīng)力下,即使應(yīng)力遠(yuǎn)**金屬的抗拉強(qiáng)度,經(jīng)一定循環(huán)積累,也會(huì)發(fā)生斷裂,即“疲勞” “疲勞斷裂”成為金屬材料強(qiáng)度學(xué)中的一個(gè)重要領(lǐng)域,設(shè)計(jì)疲勞試驗(yàn)機(jī),確定疲勞極限的概念,提出抗疲勞設(shè)計(jì)方法。 a. 二戰(zhàn)期間,美國(guó)有4694艘焊接結(jié)構(gòu)的“自由輪”,一1289艘發(fā)生了不同程度的失效。其中238艘斷成兩截或嚴(yán)重?fù)p壞而報(bào)廢、19艘沉沒(méi)、24艘甲板完全斷裂。 b. 戰(zhàn)后開(kāi)展了大量的失效原因分析的研究,認(rèn)識(shí)到:鋼的缺口敏感性和鋼的低溫脆化。即碳鋼和低合金鋼存在脆性轉(zhuǎn)變溫度,在**某一溫度就會(huì)變脆(對(duì)缺口較為敏感)。 a. 40~50年代,美國(guó)發(fā)生多起電站設(shè)備的飛裂及英國(guó)空軍墜毀事故。失效分析結(jié)果表明:鋼中的氫及夾雜物的有害作用。從此奠定了鋼的氫脆基本理論,為此發(fā)展了堿性和真空冶煉技術(shù),促進(jìn)冶金技術(shù)的發(fā)展。 b. 3、促進(jìn)機(jī)械產(chǎn)品質(zhì)量和安全可靠性的提供 可靠性是產(chǎn)品的關(guān)鍵性質(zhì)量指標(biāo),而可靠性技術(shù)是質(zhì)量保證的和興。可靠性分析的前提之一就是確認(rèn)產(chǎn)品是否失效、分析失效類型、失效模式及失效機(jī)理。 零件失效與設(shè)計(jì)、選材、制造、檢驗(yàn)、安裝等過(guò)程均有關(guān),通過(guò)失效分析,不斷將失效原因、預(yù)防措施等反饋到設(shè)計(jì)有關(guān)部門(mén),進(jìn)行相應(yīng)改進(jìn),促進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的提高。 4、失效分析為制定或修改技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)提供的依據(jù) 5、失效分析也是仲裁失效事故、開(kāi)展技術(shù)保險(xiǎn)業(yè)務(wù)及對(duì)外貿(mào)易中索賠的重要依據(jù) 芯片開(kāi)封實(shí)驗(yàn)室介紹,能夠依據(jù)**、國(guó)內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測(cè)工作,開(kāi)展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測(cè)工作,提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測(cè)服務(wù),同時(shí)可開(kāi)展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測(cè)服務(wù),主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測(cè),缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等 失效分析實(shí)驗(yàn)室 趙工 座機(jī)010-82825511-728 手機(jī)13488683602 微信a360843328 郵箱zhaojh@kw.
詞條
詞條說(shuō)明
《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來(lái)
一:X-RAY檢查 1,X-RAY含義: X-RAY射線又稱倫琴射線,一種波長(zhǎng)很短的電磁輻射,由德國(guó)物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時(shí)放出的短波輻射,能透過(guò)許多普通光不能透過(guò)的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀,可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹(shù)脂體內(nèi)氣孔情況,以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡,導(dǎo)電膠的分布范圍情況。 2,X-RAY檢查原則 不良情況 原因或責(zé)任者 球脫 組裝
Decap芯片內(nèi)開(kāi)封類型原理及應(yīng)用
Decap開(kāi)封類型原理及應(yīng)用 儀準(zhǔn) AA探針臺(tái) 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫(xiě)明出處Decap即開(kāi)封,也稱開(kāi)蓋,開(kāi)帽,指給完整封裝的IC做*局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái),同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試(如FIB,EMMI),Decap后功能正常。 去封范圍:普通封裝 COB
《半導(dǎo)體IC制造流程》 一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)較復(fù)雜且資金投入較多的過(guò)程 ,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機(jī)臺(tái)**且昂貴,動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái),其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵量(Particle)均需控制的無(wú)塵室(Clean-Room),雖
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
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