芯片失效分析

時間：2020-04-24作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：90

一般來說，集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，隨著人們對產(chǎn)品質量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。
失效分析的意義主要表現(xiàn)？
具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面：
失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。
失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。
失效分析為設計工程師不斷改進或者修復芯片的設計，使之與設計規(guī)范較加吻合提供必要的反饋信息。
失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補充，為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎。
 失效分析主要步驟和內(nèi)容
1，芯片開封：去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準備。
2，SEM 掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。
3，探針測試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。
4，EMMI偵測：EMMI微光顯微鏡是一種效率較高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。
OBIRCH應用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試）：OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術的有力補充。
LG液晶熱點偵測：利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像，找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區(qū)域（**過10mA之故障點）。
**/非**芯片研磨：移除植于液晶驅動芯片 Pad上的金凸塊， 保持Pad完好無損，以利后續(xù)分析或rebonding。
5,X-Ray 無損偵測：檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。
6,SAM (SAT)超聲波探傷可對IC封裝內(nèi)部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：o晶元面脫層，o錫球、晶元或填膠中的裂縫，o封裝材料內(nèi)部的氣孔，o各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。


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• 詞條

  詞條說明

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