目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中,普遍采用RCA清洗技術(shù)清洗拋光硅片,今天我們介紹一種溶浸式濕法化學(xué)清洗,串聯(lián)的SC1和兆聲去除顆粒,含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜,最后用IPA干燥。 IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發(fā)的特性,取代硅片表面的具有較高表面張力的水分,然后用熱N2吹干,達到徹底干燥硅片水膜的目的。 此種干燥工藝比傳統(tǒng)的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務(wù)的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過程中易產(chǎn)生邊緣目檢缺陷的缺點。針對這點,我們在生產(chǎn)中總結(jié)了一下經(jīng)驗,并通過控制將此缺陷降到可控范圍內(nèi)。 1、硅片進入IPA干燥腔后,通過片盒支架的特殊設(shè)計,使拋光面自動與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面,有利于均勻的干燥。 2、PFA片盒作為硅片的載體,由于材料微觀多孔的特性,經(jīng)過反復(fù)烘干,孔被放大,加上長時間的化學(xué)溶浸,少量化學(xué)物質(zhì)吸附在PFA的孔內(nèi),烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷,因此定期處理PFA片盒是很必要的。 作為濕制程設(shè)備專業(yè)制造商,南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司對IPA干燥系統(tǒng)有豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和產(chǎn)線使用驗證,為硅片的清洗、干燥提供有效的**。
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詞條說明
目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中,普遍采用RCA清洗技術(shù)清洗拋光硅片,今天我們介紹一種溶浸式濕法化學(xué)清洗,串聯(lián)的SC1和兆聲去除顆粒,含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜,最后用IPA干燥。 IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發(fā)的特性,取代硅片表面的具有較高表面張力的水分,然后用熱N2吹干,達到徹底干燥硅片水膜的目的。 此種干燥工藝比傳統(tǒng)的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站
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