IXYS快恢復(fù)二極管DSEI2X101-06A全新原裝**

時(shí)間：2024-03-12作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：11

IXYS快恢復(fù)二極管DSEI2X101-06A  DSEI2X101-12A 全新原裝**





上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說明

• 可控硅SKKT162/22EH4 西門康全新原裝進(jìn)口 現(xiàn)貨新批次

  上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司本著“品質(zhì)保證，客戶至上”的企業(yè)經(jīng)營理念，“誠信經(jīng)營、信譽(yù)為本”的經(jīng)營宗旨。堅(jiān)信客戶永遠(yuǎn)是公司發(fā)展的源泉，堅(jiān)持以市場為導(dǎo)向，以完善的售后服務(wù)為承諾，我們積極參與推廣以及行業(yè)交流活動(dòng)，公司在長期的發(fā)展過程中以過硬的產(chǎn)品質(zhì)量的優(yōu)勢和國內(nèi)許多大型的公司都建立了長期良好的合作伙伴關(guān)系，我們也熱誠歡迎國內(nèi)外客戶來我司考察，參觀及技術(shù)交流；廣納博交的企業(yè)精神，寅涵愿與社會各界朋友精

• IGBT模塊保管時(shí)的注意事項(xiàng)

  一般保存IGBT模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合；在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方；保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。?

• B43564-S9428-M3愛普科斯EPCOS鋁電解電容逆變器

  ?B43564-S9428-M3 愛普科斯EPCOS鋁電解電容逆變器上海寅涵智能科技發(fā)展有限屬于電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的專業(yè)代理及分銷商，產(chǎn)品廣泛供應(yīng)世界各地，應(yīng)用到民用，工業(yè)，通信，**等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中專注為開關(guān)電源、逆變電源、電力電源、電刷及電刷架等，廣泛應(yīng)用于電力、通訊、電子、冶金、化工、交通等行業(yè)電路保護(hù)及設(shè)備維護(hù)用備件、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供**的半導(dǎo)

• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，