如何制作標(biāo)準(zhǔn)的ICT測(cè)試程序

時(shí)間：2023-07-26作者：東莞市賜宏智能設(shè)備制造有限公司瀏覽：183

注意事項(xiàng):

一.  一般情況下不允許修改R 的標(biāo)準(zhǔn)值（電阻并聯(lián)電阻除外）

二.  修改程式的上下范圍必須按以下的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行 .

ü  跳線(xiàn)﹑ Connecter ﹑Fuse﹑電感﹑排感 ﹕

以J測(cè)試﹐ Exp-V用1表示﹐+-10% ﹐MODE為 0 ﹐無(wú)Guarding ， 無(wú) Offset 。

跳線(xiàn)﹕ 當(dāng)Pin-Pin間有跳帽時(shí)﹐Exp-V用1表示﹐否則Pin-Pin間測(cè)試Exp-V采用4表示。

開(kāi)關(guān)探針﹕ 以J測(cè)試﹐ Exp-V用1表示+-10% ﹐MODE為 0

ü  電阻﹑排阻 ﹕

1﹑0 Ω ﹕按3 Ω 為標(biāo)準(zhǔn)﹐+10%﹐-1%﹔或按J測(cè)試﹐MODE為1﹐無(wú)Offset﹐+-10%

2﹑2.2 Ω :  +60%﹐-30%﹐一般不采用MODE 3﹐無(wú)Guarding

3﹑4.7 Ω :  +40%﹐-20%﹐ 一般不采用MODE 3 ,  無(wú)Guarding

4﹑10.0 Ω ﹕ +15%﹐ -10%﹐一般不采用MODE 3﹐可根據(jù)各機(jī)臺(tái)稍加Offset

5﹑10. 0Ω 以上﹕ +-10%﹐一般不采用MODE 3 ﹐不加 Offset

6﹑熱敏電阻﹕可適當(dāng)放寬范圍 , 一般不采用MODE 3﹔

7﹑電阻并聯(lián)﹐可按并聯(lián)值(R 1 *R 2 )/(R 1 +R 2 )作標(biāo)準(zhǔn)值﹔+-10%  一般不采用MODE 3

8﹑NC元件﹕一般50KΩ為標(biāo)準(zhǔn)值﹐+Lim:-1% ﹐-Lim﹕10% ﹐有并聯(lián)除外

9﹑并聯(lián) IC 時(shí)﹐100K以上電阻+Lim﹕+10%﹔-Lim﹕可稍放寬

10﹑ No Pin的電阻可適當(dāng)考慮用串聯(lián)的方式進(jìn)行測(cè)試﹐ 小電阻并聯(lián)大電阻相差20倍時(shí)﹐大電阻不予測(cè)試﹔

11﹑蜂鳴器﹕做電阻測(cè)試﹐Exp-V采用44ohm （據(jù)實(shí)際情況） ﹐+-10%﹐無(wú) Guarding ﹐ 一般不采用MODE 3

12﹑FET管作電阻測(cè)試﹕Mode 一定 為5﹐+20%﹐ -10% ﹔也可直接選用Type:QF,Mode:22或23

13﹑對(duì)測(cè)試極不穩(wěn)定的電阻﹐可按PCA上實(shí)際電阻量測(cè)值作為Exp-V或根據(jù)線(xiàn)路圖分析﹔

14﹑BOM-V一律根據(jù)BOM進(jìn)行填寫(xiě)。

15﹑可調(diào)電阻﹐以較大值測(cè)試﹐+-10% ；或取中間值測(cè)試，+ -50%。

 ü  電容、排容﹕

1.  10PF或10PF以下電容﹐測(cè)試會(huì)極不穩(wěn)定﹐Exp-V可加大到30PF或50PF﹐+50%,-40%,也可依實(shí)際情況定Exp-V﹐offset定好后不允許隨意更改﹔ 具體依DEBUG原則﹔

2.  10PF以上﹐1nF以下﹐+45%,-35%, offset定好后不允許隨意更改﹔Mode參見(jiàn)Debug原則﹔

3.  Exp-V ﹕1nF~99nF﹐+45%,-35%, Mode參見(jiàn)Debug原則﹔

4.  Exp-V ﹕100nF﹕+70%,-30%﹐ 無(wú)Offset , Mode參見(jiàn)Debug原則﹔

5.  Exp-V ﹕1uF﹕+40%,-30%﹐ 無(wú)Offset , Mode參見(jiàn)Debug原則﹔

6.  Exp-V ﹕10uF以上﹐470uF以下﹐+-30%﹐Mode參見(jiàn)Debug原則﹔

7.  Exp-V﹕470uF以上﹐+-20%﹐

8.  并聯(lián)電容Exp-V= C 1 +C 2  + …… + C n ﹐ 

9.  NC元件﹕可以不進(jìn)行測(cè)試﹔

10.  FET管作電容測(cè)試﹕Exp-V約2~10nF﹐+20%﹐-15%﹐Exp-V定下后不能隨意更改﹔

11.  BOM-V一律根據(jù)BOM進(jìn)行填寫(xiě)﹔NC元件BOM-V為0u﹔

12.  小電容并大電容﹐相差20倍以上﹐小電容可以不予測(cè)試 (C 1 /(C 1 +C 2 +…C n ))<=5%) 。

13.  微法級(jí)電容的電容值小於 1000uF ， Mode4  的測(cè)試會(huì)比 Mode8 來(lái)得好且速度也較快;

14.  較大微法級(jí)電容值測(cè)試不穩(wěn)時(shí)﹐可以加放電﹔

15.  當(dāng)規(guī)定的Limit 與 BOM上規(guī)定的 小時(shí) ﹐一律依據(jù)BOM作為標(biāo)準(zhǔn)。

16.  電容極性測(cè)試：必加三端測(cè)試針，MODE8、18。EXP-V：0.2V,G 以*三腳為G。

17.  實(shí)際值以 5V ～ 10V 量測(cè)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)值之漏電流值約 0.2mA ～ 0.5mA ，若反插時(shí) , 其反向漏電流值會(huì)遠(yuǎn)大於正向漏電流值。高點(diǎn)之腳號(hào)即是電容＋端之測(cè)試針號(hào)碼 , 而低點(diǎn)之腳號(hào)即是電容－端之測(cè)試針號(hào)碼，通常須加較大的延遲時(shí)間，漏電流才會(huì)穩(wěn)定。

ü  電感﹕ 除了作J測(cè)試外﹐電感主要以L(fǎng)測(cè)試﹐+-30%

ü  二極體﹕

1.  發(fā)光二極管用D作Type﹐Mode 用1或 24﹐當(dāng)用24Mode時(shí)﹐Exp-V為1. 5V 不允許交換高低點(diǎn)﹐ 偏差 +-30% （把管子點(diǎn)亮）

2.  每個(gè)二極管分作兩步測(cè)試﹕高﹑低點(diǎn)互調(diào)測(cè)試﹐不允許交換高低點(diǎn)和修改Exp-V, 范圍依(1)規(guī)定。

ü  三極管﹕

1.  以 Q 測(cè)試﹕+-30% ﹐ 具體參考 Debug原則 ﹐ 不允許交換高低點(diǎn)

2.  以QH為T(mén)ype的三端測(cè)試﹐+-30%﹐ 具體參考 Debug原則﹐ 不允許交換高低點(diǎn)

3.  以上3種方法測(cè)試必須同時(shí)使用﹔選用Mode時(shí)必須參考其實(shí)際為PNP還是NPN

4.  NC時(shí)﹐采用Type:QN測(cè)試﹐ BOM-V﹕0.7V﹐ Exp-V為0.7V左右﹐+-30 %

ü  FET管﹕

1.  以QF為T(mén)ype﹐量測(cè)漏電流 Ids ﹐ Bom-V依線(xiàn)路圖提供的電壓供給﹐ +-30%﹐不允許交換高低點(diǎn)﹐其Guarding Pin為G。

2.  以QF為T(mén)ype﹐量測(cè)漏電流 Vds ﹐ Bom-V依線(xiàn)路圖提供的電壓供給﹐+30%﹐-1%﹐Exp-V:0.2V, 不允許交換高低點(diǎn) ﹐ 其Guarding Pin為G 。

3.  還 必須同時(shí)采用電阻 或 電容測(cè)試﹔不允許交換高低點(diǎn)

ü  Clamping Diode

1.  對(duì)GND量測(cè)﹐+-30%﹐Mode 為2﹐ Guarding  Pin 以它本身學(xué)到的為準(zhǔn)﹐ 不允許交換高低點(diǎn)﹔

2.  對(duì)VCC量測(cè)﹐+-30%﹐Mode 為2﹐ Guarding  Pin 以它本身學(xué)到的為準(zhǔn)﹐ 不允許交換高低點(diǎn)﹔

3.  測(cè)試不穩(wěn)定時(shí)﹐可加放電或4ms以?xún)?nèi)的延遲或重測(cè)。

4.  當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)樣板測(cè)試值小于0.1V時(shí)﹐可以0.1V為Exp-V﹐+30%,-1%﹔

5.  對(duì)于較脆弱的Clamping Diode,可根據(jù)實(shí)際情況決定其是否測(cè)試

6.  如有幾種料導(dǎo)致無(wú)法測(cè)試時(shí)﹐可舍測(cè)其中一種。

ü  IC Open﹕ 學(xué)習(xí)好的IC OPEN接受值﹐其Limit為+80%﹐-40%﹐之中不能加放電﹐單片測(cè)試值如與整體統(tǒng)計(jì)值偏差較大時(shí)﹐應(yīng)找其他原因﹐不能改動(dòng)設(shè)定值。

ü  其他﹕ A: 78L05做三極管測(cè)試 1#﹔B:加測(cè) 網(wǎng)卡12﹑13腳對(duì)地阻抗﹔C﹕加測(cè)PWM測(cè)試阻抗﹔

ü  NOTES﹕電阻﹑Connector上的排針﹑感﹑二極管可電測(cè)率應(yīng)盡量保持在**。 


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