stasnon 原廠STC4606規(guī)格參數(shù)NP30V 6.5A大量現(xiàn)貨

時間：2020-01-05

STANSONSTC4606可替代型號：

STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790

STC4606產品介紹：
stc4606是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管
DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力
并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用
如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側
開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。

STC4606 參數(shù)：
N溝道
30V / 6.9a，RDS（ON）＝30mΩ（典型值
@ VGS = 10V
30V / 6.0A，RDS（ON）= 46mΩ
@ VGS = 4.5V
P溝道
- 30V / -6.0a，RDS（上）= 51mΩ（典型值
@ VGS = - 10V
- 30V / -5.0a，RDS（上）= 70mΩ
@ VGS = - 4.5V
**高密度電池設計
較低的RDS（on）
特殊的阻力和較大
直流電流的能力

SOP-8封裝

詞條
詞條說明
MOS管失效原因是什么？
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產
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STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開關性能.該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數(shù)N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值
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