磁珠本體易出現(xiàn)裂紋。因此磁珠和磁環(huán)的使用需要注意以下事項:
1. 磁珠在PCB板上布局安裝時,不得在直插接插件的3cm范圍內(nèi),平插接插件不受此限制;
2. 磁環(huán)在導(dǎo)線上安裝后,需要進行固定,固定材料使用硅膠,熱熔后粘接方式固定;
3. 磁珠的失效機理之一是熱失效,失效的原因是磁珠上通過了較大的電流,電流在磁珠的直流電阻Rdc上產(chǎn)生熱耗(Q=I2*Rdc),熱量較大不能及時被散掉,會導(dǎo)致磁珠整體受熱不均勻,從而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力導(dǎo)致出現(xiàn)裂紋,裂紋的出現(xiàn),使導(dǎo)磁材料的導(dǎo)磁性能受到損傷,因此高頻波動信號在導(dǎo)磁材料上的磁力線傳輸受到影響,使濾波效果變差。
示例:電源額定電壓3.3V、額定電流300mA,電路板上的遠(yuǎn)端IC要求電源電壓不得**3.0V,并且要求對于100MHZ、300mVpp的噪聲,經(jīng)過磁珠濾波后能達(dá)到50mVpp的水平,請問磁珠應(yīng)如何選型?
解:
① ? ? 則對于100MHz的信號,300mV的噪聲需要濾波后衰減到50mV,意即在磁珠上分壓要達(dá)到250mV,假設(shè)負(fù)載RL=50Ω,如(圖1)。則Rac/RL=250/50,其中RL=50Ω,得Rac=250Ω(在100MHz時)
② ? ? 電源額定電流300mA,降額系數(shù)按照0.75,則選擇額定電流不**300mA / 0.75 = 400 mA的磁珠;
③ ? ? IC要求電源電壓不得**3.0V,則磁珠上直流電阻Rdc上的壓降須不大于0.3V,如(圖2),即300mA * Rdc < 0.3 V,得Rdc < 1 Ω。
④ ? ? 綜上計算,得出為滿足題目要求的條件,需選擇磁珠指標(biāo)符合以下要求:Rac≥250Ω(在100MHz時)、額定電流不**400mA、Rdc<1 Ω。
詞條
詞條說明
高容量的電容量測時較易有容值偏低現(xiàn)象,主要原因是電容兩端的實際施加電壓無法高到測試條件需求所致。 也就是說加在電容兩端的電壓因為儀器本身內(nèi)部阻抗分壓的原因與儀器顯示的設(shè)定電壓不同導(dǎo)致。 當(dāng)對老化的材料施加**材料居里溫度的高溫,當(dāng)環(huán)境溫度回到常溫后,材料的分子構(gòu)造將會回到原始的狀態(tài)材料將由此開始老化的又一個循環(huán)。 解決對策在測量電容容值時將儀器調(diào)校并將儀器的設(shè)定電壓與實際加在產(chǎn)品兩端所測電壓盡量
我們知道只有電解電容的正極接電源正(電阻擋時的黑表筆),負(fù)端接電源負(fù)(電阻擋時的紅表筆)時,電解電容的漏電流才小(漏電阻大)。 反之,則電解電容的漏電流增加(漏電阻減小)。 測量時,先假定某較為較,讓其與萬用表的黑表筆相接,另一電極與萬用表的紅表筆相接,記下表針停止的刻度(表針靠左阻值大)。 然后將電容器放電(既兩根引線碰一下),兩只表筆對調(diào),重新進行測量。兩次測量中,表針最后停留的位置靠左(阻
厚膜電阻器:厚膜電阻器是把金屬類電阻材料與**填料混合起來印刷后燒成,還可以在其上印刷保護層,使用范圍廣。 現(xiàn)在成為主流的通用片狀電阻器和電阻排也使用這種類型的電阻體。還有,噪聲也比碳膜電阻低,流通量僅次于碳膜電阻器。 薄膜電阻器:薄膜電阻器主要是進行真空蒸發(fā),以形成電阻體,與厚膜制作;法和特性不同。 制造設(shè)備規(guī)模大,電阻材料自由度大,能夠得到好性能的電阻器。 電阻值的范圍大約為100一1MQ,
電解電容由于有正負(fù)極性,因此在電路中使用時不能顛倒聯(lián)接。 在電源電路中,輸出正電壓時電解電容的正極接電源輸出端,負(fù)極接地,輸出負(fù)電壓時則負(fù)極接輸出端,正極接地.當(dāng)電源電路中的濾波電容極性接反時。 因電容的濾波作用大大降低,一方面引起電源輸出電壓波動,另一方面又因反向通電使此時相當(dāng)于一個電阻的電解電容發(fā)熱。 當(dāng)反向電壓**過某值時,電容的反向漏電電阻將變得很小,這樣通電工作不久,即可使電容因過熱而炸
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