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時間：2013-07-16

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1.開啟電壓VT

·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源較S和漏較D之間開始形成導電溝道所需的柵較電壓；

·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；

·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻RGS

·即在柵源較之間加的電壓與柵較電流之比

·這一特性有時以流過柵較的柵流表示

·MOS管的RGS可以很容易地**過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

·ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏較附近耗盡層的雪崩擊穿

（2）漏源較間的穿通擊穿

·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產生大的ID

4. 柵源擊穿電壓BVGS

·在增加柵源電壓過程中，使柵較電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5. 低頻跨導gm

·在VDS為某一固定數值的條件下，漏較電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導

·gm反映了柵源電壓對漏較電流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一個重要參數

·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6. 導通電阻RON

·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏較特性某一點切線的斜率的倒數

·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

·由于在數字電路中，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內

7. 較間電容

·三個電極之間都存在著較間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

·CGS和CGD約為1～3pF

·CDS約在0.1～1pF之間

8. 低頻噪聲系數NF

·噪聲是由管子內部載流子運動的不規(guī)則性所引起的

·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規(guī)則的電壓或電流變化

·噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）

·這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小

·低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數

·場效應管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小

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